Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=микроиндентирование<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на фазовые превращения в кремнии при микроиндентировании [Текст] / Ю. И. Головин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 8. - С. 73-76. - Библиогр.: c. 76 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.36 + 22.372
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом

   Механические и акустические свойства монокристаллов

Кл.слова (ненормированные):
бета-облучение -- дефектообразование -- индентирование -- кремний -- микроиндентирование -- низкоинтенсивное бета-облучение -- фазовые превращения
Аннотация: С использованием метода рамановскои спектроскопии исследована морфология фазового состава кремния внутри отпечатка индентора с пространственным разрешением ~ 200 нм. Обнаружено подавление эффективности образования фаз Si-XII, Si-III и -Si, индуцируемое облучением бета-частицами от источника {90}Sr + {90}Y (флюенс F=3, 6-10[10] см [-2]).


Доп.точки доступа:
Головин, Ю. И.; Дмитриевский, А. А.; Шуклинов, А. В.; Косырев, П. А.; Ловцов, А. Р.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Воздействие магнитного поля на поляризацию кристаллов LiF при микроиндентировании [Текст] / М. В. Галусташвили [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 3. - С. 543-546 : 2 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
LiF -- деполяризация кристаллов -- кристаллы LiF -- магнитное поле -- микроиндентирование -- поляризация кристаллов
Аннотация: Исследованы процессы поляризации и деполяризации кристалла LiF при индентировании после экспозиции в постоянном магнитном поле.


Доп.точки доступа:
Галусташвили, М. В.; Акопов, Ф. Х.; Дриаев, Д. Г.; Квачадзе, В. Г.; Цакадзе, С. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 07.09.2024
Число запросов 37379
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)