Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод импульсного лазерного осаждения<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Влияние термического и лазерного отжигов на состав и свойства тонкопленочных слоев EuS [Текст] / П. Е. Тетерин [и др.] // Перспективные материалы. - 2012. - № 1. - С. 43-46 : 5 рис. - Библиогр.: с. 46 (6 назв. ) . - ISSN 1028-978Х

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
EuS -- импульсное лазерное осаждение -- лазерный отжиг -- тонкие пленки -- метод импульсного лазерного осаждения
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, состав и оптическое поглощение тонких пленок EuS на подложках Si (100) и SiO[2], полученных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО). Показано, что управлять составом пленок EuS возможно с помощью термического отжига в вакууме и импульсного лазерного отжига.

Доп.точки доступа:
Тетерин, П. Е.; Неволин, В. Н.; Колосов, Ю. Н.; Сипайло, И. П.; Сургина, Г. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Применение лазеров в технологии солнечных элементов [Текст] / Д. А. Зуев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 10. - С. 1247-1250. - Библиогр.: c. 1250 (30 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.9

^a539.1.043

ББК 22.3 + 22.38
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод импульсного лазерного осаждения -- низкоотражающие поверхности -- низкотемпературные процессы -- пленки ITO -- солнечные элементы -- текстурирование поверхности -- тонкие пленки
Аннотация: Продемонстрированы возможности применения лазеров (лазерное текстурирование поверхности кремния и импульсное лазерное осаждение тонких пленок оксида индия и олова (ITO) ) при создании солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Зуев, Д. А.; Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Шорохова, А. В.; Храмова, О. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптимизация условий формировния тонких пленок сплава Гейслера Ni – Mn – In методом импульсного лазерного осаждения [Текст] / А. И. Грунин [и др.] // Перспективные материалы. - 2012. - № 4. - С. 77-81 : 2 рис. - Библиогр.: с. 80 (9 назв. ) . - ISSN 1028-978Х

УДК

^a537.6

^a539.2

^a621.78

ББК 22.334 + 22.37 + 34.65
Рубрики: Физика
   Магнетизм
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Машиностроение
   Упрочнение металлов
Кл.слова (ненормированные):
сплав Гейслера -- Гейслера сплав -- тонкие пленки -- импульсное лазерное осаждение -- метод импульсного лазерного осаждения -- отжиг
Аннотация: Сформированы тонкие пленки сплава Гейслера Ni – Mn – In (20 – 30 нм) методом импульсно-лазерного осаждения (ИЛО) при различных температурах подложки — от комнатной температуры до 580°C. Исследовано влияние температуры подложки SiO[2] при осаждении тонких пленок Ni – Mn – In на распределение концентрации элементов по толщине образца методами резерфордовского обратного рассеяния (РОР) и Оже-электронной спектроскопии. Найден оптимальный диапазон температур вакуумного отжига образцов, синтезированных на подложку комнатной температуры, при которых не происходит испарение индия из образцов — 300 – 350°C.

Доп.точки доступа:
Грунин, А. И.; Гойхман, А. Ю.; Родионова, В. В.; Шушарина, Н. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.09.2024
Число запросов	2518
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)