Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=метод вольт-фарадных характеристик<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Власов Ю. Н., Стародубцев А. А., Bhatmager Р. К., Mathur Р. С.
Заглавие : Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия
Серия: Оптика и спектроскопия
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76 (Шифр izph/2009/52/4)
Примечания : Библиогр.: c. 76 (15 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--арсенид галлия--диод шоттки--метод вольт-амперных характеристик--метод вольт-фарадных характеристик--поверхностно-электронные состояния--приповерхностная область арсенида галлия--селен--уровень ферми--ферми уровень--шоттки диод
Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми.
Найти похожие

 
Статистика
за 07.07.2024
Число запросов 7562
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)