Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=металлооксидные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гаман В. И.
Заглавие : Физические основы работы сенсоров окислительных газов на основе металлооксидных полупроводников
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С.58-65. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/12). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 65 (6 назв. )
УДК : 537.2
ББК : 22.331
Предметные рубрики: Физика
Электростатика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид азота--канальная проводимость--кислород--металлооксидные полупроводники--надбарьерная проводимость--поликристаллические пленки--сенсоры диоксид азота--сенсоры кислорода--сенсоры окислительных газов--теплота адсорбции--хемосорбция--энергия активации десорбции
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы сенсоров кислорода и диоксида азота на основе тонких поликристаллических пленок металлооксидных полупроводников. Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости проводимости сенсора и его отклика от концентрации окислительного газа, геометрических и физических параметров полупроводниковой пленки. Проведено сопоставление полученных в теории закономерностей с имеющимися результатами экспериментальных исследований.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гаман В. И.
Заглавие : Влияние адсорбции кислорода на поверхностный потенциал металлооксидного полупроводника
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С.75-81. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 81 (9 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адсорбция кислорода--адсорбция окислительных газов--металлооксидные полупроводники--поверхностная плотность ионов кислорода--поверхностный потенциал--теплота адсорбции--хемосорбция
Аннотация: Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости поверхностной плотности адсорбированных ионов кислорода и изгиба энергетических зон в приповерхностной области металлооксидного полупроводника от концентрации кислорода, которые учитывают не только процесс адсорбции нейтральных частиц газа, но и их перезарядку за счет захвата электрона из зоны проводимости. Показано, что теплота адсорбции ионов кислорода равна сумме теплоты адсорбции нейтральной частицы и энергетического зазора между уровнем Ферми и уровнем иона кислорода на поверхности полупроводника. В период установления адсорбционного равновесия аналитическое выражение, описывающее зависимость изгиба энергетических зон от времени, может быть получено только для случая малых изменений концентрации кислорода в газовой смеси.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	38841
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)