Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (9)Труды АМГУ (4)Выпускные квалификационные работы (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=кремний<.>)
Общее количество найденных документов : 274
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федюшкин И. Л., Лукоянов А. Н., Хвойнова Н. М., Черкасов А. В.
Заглавие : 1,3,2-Диазасилолы на основе 1,2-бис[(2,6-диизопропилфенил)имино]аценафтена
Серия: Полные статьи
Место публикации : Известия РАН. Серия химическая. - 2013. - № 11. - С.2454-2461: 2 табл., 6 рис., 2 схемы. - ISSN 0002-3353 (Шифр irch/2013/11). - ISSN 0002-3353
Примечания : Библиогр.: с. 2459-2461 (80 назв. )
УДК : 547
ББК : 24.23
Предметные рубрики: Химия
Органические соединения
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 1, 2-бис[ (2, 6-диизопропилфенил) имино]аценафтен--n-лиганды--кремний--синтез
Аннотация: Восстановление 1, 2-бис[ (2, 6-диизопропилфенил) имино]аценафтена (1, dpp-bian) в присутствии SiCl4] двумя эквивалентами графита калия (KC[8]) в тетрагидрофуране приводит к образованию соединения (dpp-bian) SiCl[2] (2), которое было также синтезировано обменной реакцией SiCl[4] с комплексом магния (dpp-bian) Mg (THF) [3]. Аналог соединения 2, бромное производное (dpp-bian) SiBr[2] (3), получено реакцией SiBr[4] с одним эквивалентом Na[2] (dpp-bian) (in situ из Na и dpp-bian) в толуоле.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мухина Е., Башта П.
Заглавие : 3-D сборка : технология сквозных отверстий в кремнии
Серия: Новая технология
Разночтения заглавия :: Три-D сборка
Место публикации : Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 2. - С. 92-93 (Шифр entb/2009/2)
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний--сквозные отверстия--3-d сборка--микросхемы--лазерная обработка--монтаж кристаллов
Аннотация: Описана трехмерная интеграция, которая позволяет повысить производительность и снизить стоимость микросхем.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Khomitsky D. V., Chubanov A. A.
Заглавие : Edge states and topological properties of electrons on the bismuth on silicon surface with giant spin-orbit coupling
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 145, вып. 3. - С.525-534: 3 рис. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2014/145/3). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 532-534
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): висмут--краевые состояния электронов--кремний--спин-орбитальное взаимодействие--топологические изоляторы--электронный газ--электроны
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gusev O. B., Ershov A. V., Grachev D. A., Andreev B. A., Yablonskiy A. N.
Заглавие : Effect of surface Si-Si dimers on photoluminescence of silicon nanocrystals in the silicon dioxide matrix
Серия: Твердые тела и жидкости
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 145, вып. 5. - С.830-837: 7 рис. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2014/145/5). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 837
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): димеры--кремниевые нанокристаллы--кремний--матрица диоксида кремния--нанокристаллы кремния--поверхностные si-si димеры--фотолюминесценция
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Foell C. A., Zagoskin A. M., Young J. F.
Заглавие : Engineering silicon-based photonic crystal cavities for NV-center quantum information processing
Серия: Квантовая информатика. Квантово-информационные процессоры
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 2. - С.255-259. - ISSN 0030-4034 (Шифр opsp/2010/108/2). - ISSN 0030-4034
Примечания : Библиогр.: с. 259 (24 назв. )
УДК : 530.145
ББК : 22.315
Предметные рубрики: Физика
Квантовая теория поля
Аннотация: Silicon slab photonic crystal microcavities designed for off-resonant coupling to nitrogen vacancy (NV) centers were simulated and fabricated.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gordeeva T., Kulnitskiy B., Popov M., Ovsyannikov D., Blank V.
Заглавие : High-Pressure Si Phases and the Mutual Orientation of Their Structures. HRTEM Studies
Серия: Полупроводники
Разночтения заглавия :: HRTEM Studies
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С.729. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/6). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): si-фазы высокого давления--давление--кремний--планетарная мельница--пластическая деформация--просвечивающая электронная микроскопия--фазовое превращение--электронная микроскопия
Аннотация: В результате исследований просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения кремния, обработанного в планетарной мельнице в присутствии алмазного порошка, были обнаружены фазы высокого давления: Si-III, Si-IV и Si-IX.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kocak I., Koc S.
Заглавие : Major and trace element geochemistry of the Bigadic borate deposit, Balikesir, Turkey
Место публикации : Геохимия. - 2012. - № 11. - С.1032-1057: ил. - ISSN 0016-7525 (Шифр gech/2012/11). - ISSN 0016-7525
Примечания : Библиогр.: с. 1056-1057 (35 назв.)
УДК : 550.4
ББК : 26.301
Предметные рубрики: Геология
Геохимия --Турция --Балыкесир, город
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): бораты--месторождения бората--микроэлементы--геохимические тренды--аргиллиты--алевролиты--туфы--известняки--полезные ископаемые--рудные зоны--физико-химические условия--окружающая среда--кальций--магний--кремний--железо--алюминий--сера--натрий--фосфор--марганец--литий--молибден--сурьма--мышьяк--стронций--селен
Аннотация: This study investigates the major and trace element geochemistry of Bigadic (Balikesir, Turkey) borate deposits, the largest colemanite and ulexite deposits in the world. The known borate deposits of Turkey were deposited in the lacustrine environment during Miocene when the volcanic activity occurred from Tertiary to Quaternary. All of the Turkish borate deposits are classified as volcanic related deposits. Boron ore deposits intercalated with claystone, mudstone, tufa and fine layered limestone show lens shape. Borate minerals formed in two zones. Tulu and Acep-Simav open mines represented the lower and upper borate zones, respectively. Colemanite and ulexite are dominant minerals at all ore zones. The major elements of Bigadic borates contain Ca, Si, Mg, Al, Fe, S, Na, P and Mn at Tulu, Ca, Na, Si, Mg, S, Al, P and Mn at Simav, and Ca, Na, Si, Mg, S, Al and Mn at Acep samples respectively. Except for Li, Mo, Sb, As, Sr and Se, concentrations of other trace elements are significantly lower than averages of earth crust and andesite at the three mines. With respect to averages of earth crust and andesite, Mo, Sr, As, Li and particularly Se are enriched significantly in the Bigadic. In examining depth-dependent variations of major and trace elements, four element groups at the Tulu site and six element groups at the Simav and Acep sites were determined. Element abudances or element geochemical trends show differences at the Tulu, Simav and Acep mines. These differences can be explained by the diversity of physicochemical conditions in the deposition environment by the effect of differences at the recharge regime and source.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smirnov B. M., Bhattacharyya S. R., Datta D., Hippler R., Shyjumon I., Chini T. K.
Заглавие : Processes involved in the formation of silver clusters on silicon surface
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 6. - С. 1181-1194 (Шифр zhtf/2008/134/6)
Примечания : Библиогр.: с. 1193-1194
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шиганов А.
Заглавие : SiGe-технология для высокоскоростных осциллографов LeCroy
Серия: Контроль и измерения
Место публикации : Электроника: наука, технология, бизнес. - 2012. - № 1. - С.80-82. - ISSN 1992-4178 (Шифр entb/2012/1). - ISSN 1992-4178
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): sige-компоненты--sige-технология--осциллографы--кремний-германиевые компоненты--компании
Аннотация: Кремний-германиевые компоненты широко применяются в микроэлектронике для изготовления АЦП и процессоров. Они имеют хорошие показатели надежности, энергопотребления, степени интеграции. Компания LeCroy - один из лидеров в производстве контрольно-измерительной аппаратуры - уже несколько лет использует SiGe-компоненты в своих осциллографах. Они позволили существенно улучшить характеристики этих приборов.
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Danilov P. A., Ionin A. A., Kudryashov S. I., Makarov S. V., Rudenko A. A., Saltuganov P. N., Seleznev L. V., Yurovskikh V. I., Zayarny D. A., Apostolova T.
Заглавие : Silicon as a virtual plasmonic material: acquisition of its transient optical constants and the ultrafast surface plasmon-polariton excitation
Серия: Атомы, молекулы, оптика
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 6. - С.1098-1112. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2015/147/6). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 1111-1112
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний--плазмон-поляритонное возбуждение--плазмон-поляритоны--плазмонные материалы--поверхностный плазмонный резонанс--фотовозбуждение поверхности кремния--электрон-дырочная плазма
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Линтур М. И., Приходько М. В., Дащенко А. И., Маркович Л. М., Шароди И. С.
Заглавие : Абсолютный выход фотонов с поверхности кремния при электронном и ионном облучении
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 958-961 (Шифр ranf/2008/72/7)
Примечания : Библиогр.: c. 961 (13 назв. )
УДК : 537.533.2:535.14:546.28
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронное облучение--спектральный состав--поверхности--ионное облучение--кремний--оптическое излучение--ионно-фотонная эмиссия--электронно-фотонная эмиссия--выход фотонов
Аннотация: Изучены характеристики оптического излучения, которым сопровождается бомбардировка поверхности кремния электронами и ионами средних энергий.
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Пудиков Д. А., Жижин Е. В., Вишнякова А. А., Вилков О. Ю., Владимиров Г. Г.
Заглавие : Адсорбция атомов кремния на поверхность системы Au/W(110)
Серия: Системы низкой размерности
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 12. - С.2447-2451: 5 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/12). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (21 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): au/w (110)--адсорбция--атомы кремния--кремний--кристаллография в целом--система au/w (110)
Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией исследована возможность формирования упорядоченной структуры, схожей с силиценом, на поверхности Au/W (110).
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ильин И. В., Успенская Ю. А., Крамущенко Д. Д., Музафарова М. В., Солтамов В. А., Мохов Е. Н., Баранов П. Г.
Заглавие : Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С.641-659: 12 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2018/60/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (46 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дэяр--эпр--акцепторы iii группы--акцепторы с глубокими уровнями--акцепторы с мелкими уровнями--двойной электронно-ядерный резонанс--карбид кремния--кремний--электронный парамагнитный резонанс
Аннотация: Приведены результаты исследований акцепторов III группы в кристаллах карбида кремния с использованием наиболее информативных методов электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса и рассмотрены структурные модели акцепторов с мелкими уровнями и с глубокими уровнями.
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кулеев И. И.
Заглавие : Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 4. - С.668-678: 8 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (27 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ge--si--алмазы--анизотропия--германий--кремний--монокристаллические пленки--пленки ge--пленки si--фононы
Аннотация: Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах.
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лисин В. С., Скороходов В. Н., Настич В. П., Чернов П. П., Ларин Ю. И., Ярошенко А. В., Тищенко А. Д., Чеглов А. Е., Черненилов Б. М., Лебедев В. И.
Заглавие : Анизотропная электротехническая сталь
Серия: VIP-патенты
Место публикации : Изобретательство. - 2007. - Т. 7, N 5. - С. С. 4. (Шифр izob/2007/7/5)
УДК : 669
ББК : 34.3
Предметные рубрики: Машиностроение
Металлургия. Металлы и сплавы
Аннотация: Реферат на изобретение анизотропная электротехническая сталь.
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Головань Л. А., Джунь И. О., Докукина А. Е., Заботнов С. В., Ежов А. А., Кашкаров П. К., Маслова Н. Е., Остапенко И. О., Панов В. И., Тимошенко В. Ю.
Заглавие : АСМ-исследования наночастиц, формирующихся при модифицировании поверхности кремния фемтосекундными лазерными импульсами
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 43-45: Рис. (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (10 назв. )
УДК : 535.82
ББК : 22.34
Предметные рубрики: Физика
Оптика в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомно-силовая микроскопия--наночастицы--кремний--поверхности--модифицирование поверхности--асм-исследования
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии показано, что наночастицы, образующиеся при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на поверхность монокристаллического и пористого кремния, имеют латеральный размер от нескольких десятков до 200 нм и высоту от 2 до 30 нм.
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33
Автор(ы) : Плюснин Н.И.
Заглавие : Атомно-масштабное управление молекулярно-лучевым ростом тонкоплёночных наногетероструктур
Серия: Физикохимия поверхности. Покрытия
Место публикации : Вестник Дальневосточного отделения РАН. - 2010. - N 5. - С. 26-34. - ISSN 0869-7698 (Шифр vdra/2010/5). - ISSN 0869-7698
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металл-полупроводниковые наногетероструктуры--система металл 3d переходной группы - кремний--тонкоплёночные приборы--кремниевая микроэлектроника--кремниевая нанотехнология--ультратонкие плёнки--тонкопленочные наногетероструктуры--молекулярные пучки--электронная спектроскопия--молекулярно-лучевой рост--рост поверхностной фазы--плёночные нанофазы--многослойные наноструктуры
Найти похожие
18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косолобов С. С., Латышев А. В.
Заглавие : Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. С. 193-197 (Шифр ranf/2008/72/2)
Примечания : Библиогр.: c. 197 (23 назв. )
УДК : 539.211.537.53
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Аннотация: Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии исследовано влияние адсорбции субмонослойных покрытий атомов золота на морфологию поверхности кремния (111) в диапазоне температур 850-1260 град. С.
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Комолов А. С., Лазнева Э. Ф., Герасимова Н. Б., Соболев В. С., Панина Ю. А., Пшеничнюк С. А., Асфандиаров Н. Л.
Заглавие : Атомный состав и морфология тонких пленок ресвератрола на поверхности окисленного кремния и поликристаллического золота
Серия: Полимеры
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С.598-603: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2019/61/3). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (39 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): золото--кремний--кристаллография в целом--окисленный кремний--поликристаллическое золото--ресвератрол--тонкие пленки
Аннотация: Приведены результаты исследования атомного состава термически напыленных пленок полифенольного антиоксиданта - ресвератрола.
Найти похожие
20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шаверина А. В., Цыганкова А. Р., Шелпакова И. Р., Сапрыкин А. И.
Заглавие : АЭС-ИСП анализ высокочистого кремния
Серия: Анализ вещества
Место публикации : Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 4. - С.9-13. - ISSN 1028-6861 (Шифр zala/2012/78/4). - ISSN 1028-6861
Примечания : Библиогр.: с. 13 (15 назв. )
УДК : 546 + 543.4/.5
ББК : 24.12 + 24.46/48
Предметные рубрики: Химия
Химические элементы и их соединения
Физико-химические методы анализа
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аэс-исп анализ--высокочистый кремний--пределы обнаружения--атомно-эмиссионная спектрометрия--возбуждение излучения--индуктивно-связанная плазма
Аннотация: Разработана методика атомно-эмиссионной спектрометрии с возбуждением излучения в индуктивно-связанной плазме для анализа высокочистого кремния, обеспечивающая максимальную информативность по числу определяемых примесей и возможно низкие пределы их обнаружения.
Найти похожие
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 28991
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)