Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые приборы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гриценко В. А.
Заглавие : Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид
Серия: Обзоры актуальных проблем
Место публикации : Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 921-930: 20 рис. (Шифр upna/2009/179/9)
Примечания : Библиогр.: с. 930 (43 назв. )
ГРНТИ : 29.19.24 + 29.19.33
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомное строение--диэлектрики--свойства границ--границы раздела--кремниевая микроэлектроника--электрические поля--кремниевые приборы
Аннотация: В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик и диэлектрик/диэлектрик в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гриценко В. А.
Заглавие : Электронная структура нитрида кремния
Серия: Из текущей литературы
Место публикации : Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 5. - С.531-542: 20 рис., 1 табл. - ISSN 0042-1294 (Шифр upna/2012/182/5). - ISSN 0042-1294
Примечания : Библиогр.: с. 542 (34 назв.)
ГРНТИ : 29.19.24
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронные структуры--диэлектрики--кремниевые приборы--нитриды кремния--электроны--электрические свойства--квантово-химические методы моделирования
Аннотация: В обзоре приведен детальный анализ электронной структуры и эффективных масс электронов и дырок в нитриде кремния. Современные квантово-химические расчеты хорошо описывают экспериментально наблюдаемый перенос заряда по связи Si-N.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Роуз А.
Заглавие : Цель Fujitsu : рассказывает испольнительный вице-призидент компании Fujitsu А. Роуз
Серия: Компетентное мнение
Место публикации : Электроника: наука, технология, бизнес. - 2015. - № 6. - С.22-25. - ISSN 1992-4178 (Шифр entb/2015/6). - ISSN 1992-4178
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gan-технологии--интервью--компании--компании--кремниевые приборы--полупроводниковые приборы
Аннотация: Интервью посвящено перспективам развития компании Fujitsu, которая выступает контрактным производителем полупроводниковым приборов, причем не только кремниевых, но и по GaN-технологии.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	38091
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)