Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовая яма<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дорохин М. В., Зайцев С. В., Байдусь Н. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Звонков Б. Н., Кулаковский В. Д., Ускова Е. А.
Заглавие : Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. С. 180-183 (Шифр ranf/2008/72/2)
Примечания : Библиогр.: c. 183 (10 назв. )
УДК : 535.376 + 537.871.53
ББК : 22.345 + 32.840/841
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Радиоэлектроника
Теоретические основы радиотехники
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зайцев В. В., Новиков А. В., Лобанов Д. Н., Багаев В. С., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Онищенко Е. Е.
Заглавие : Каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 5. - С. 988-995 (Шифр zhtf/2008/134/5)
Примечания : Библиогр.: с. 995
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Исследованы каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Звонков Б. Н., Субботин И. А., Чуев М. А., Пашаев Э. М., Фарзетдинова Р. М., Рыльков В. В., Аронзон Б. А., Лайхо Р., Мейлихов Е. З., Давыдов А. Б., Лихачев И. А., Лашкул А. В., Панков М. А.
Заглавие : Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355 (Шифр zhtf/2009/136/2)
Примечания : Библиогр.: с. 354-355
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): двумерный дырочный газ--дырочный газ--газы--марганец--структуры--свойства--квантовая яма--ферромагнитный переход--транспортные свойства структур
Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кульбачинский В. А., Щурова Л. Ю.
Заглавие : Термодинамические, транспортные и магнитотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцем структурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 1. - С. 135-147 (Шифр zhtf/2009/136/1)
Примечания : Библиогр.: с. 146-147
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свободные носители заряда--углерод--транспортные свойства--марганец--термодинамические свойства--заряды--квантовая яма--носители заряда--магнитотранспортные свойства--легированные марганцем структуры--легированные структуры с квантовой ямой
Аннотация: Проанализированы результаты исследования магнитных и транспортных свойств в легированных углеродом и марганцем стуктурах с разных сторон квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs при наличии ферромагнитной фазы.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Козлов Г. Г., Запасский В. С., Овсянкин В. В.
Заглавие : Замедление света в брэгговском волноводе
Серия: Нелинейная и квантовая оптика
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 109, N 3. - С. 439-448 (Шифр opsp/2010/109/3)
Примечания : Библиогр.: с. 448 (7 назв. )
УДК : 535.2/.3
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): брэгговский волновод--волноводы--замедление светового излучения--квантовая яма--медленный свет--световые импульсы
Аннотация: В статье представлен анализ брэгговского волновода с точки зрения получения в нем медленного света.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Айзенштат Г. И., Божков В. Г., Ющенко А. Ю.
Заглавие : Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AIGaAs/InGaAs
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 34-39 (Шифр izph/2010/53/9)
Примечания : Библиогр.: c. 39 (10 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--гетероструктуры--двумерный электронный газ--дрейфовая скорость электронов--квантовая яма
Аннотация: В диапазоне температур 200-400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AIGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1, 55 10{7} до 1, 3 10{7} см/с и существенно превышает значения этой скорости в объемном арсениде галлия.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дмитриев А. И., Таланцев А. Д., Зайцев С. В., Данилов Ю. А., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Коплак О. В., Моргунов Р. Б.
Заглавие : Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 1. - С. 158-169 (Шифр zhtf/2011/140/1)
Примечания : Библиогр.: с. 168-169
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Аннотация: Исследован фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ратников П. В., Силин А. П.
Заглавие : Размерное квантование в графеновых планарных гетероструктурах: псевдоспиновое расщепление энергетического спектра, приграничные состояния и экситоны
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 3. - С.582-601: рис., табл. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2012/141/3). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 599-601
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Рассматривается планарная квантовая яма, составленная из нанополоски бесщелевого графена, по краям которой находятся щелевые модификации графена.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Горн Д. И., Ижнин И. И., Ижнин А. И., Гольдин В. Д., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В., Варавин В. С.
Заглавие : Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С.50-55: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 55 (17 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): крт млэ--гетероэпитаксиальные структуры--зонная диаграмма--квантовая яма--молекулярно-лучевая эпитаксия--наногетероструктуры--полупроводниковые структуры--фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Караваев Г. Ф., Чернышов В. Н., Разжувалов А. Н.
Заглавие : Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С.34-40: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 40 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вюртцитные кристаллы--гетероструктуры--дырочные состояния--квантовая яма--метод огибающих функций--огибающие функции--уровень энергии--условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Караваев Г. Ф., Чернышов В. Н.
Заглавие : Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С.92-99: рис., табл. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 99 (10 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--квантовая яма--моделирование дырочных состояний--моделирование электронных состояний--псевдопотенциалы--уровень энергии--условная сшивания
Аннотация: Проведены псевдопотенциальные расчеты электронных и дырочных состояний для различных наноструктур на основе GaN/InGaN (0001) в приближении разрывного на гетерограницах потенциала. На основе данных расчетов предложена модель для упрощенного описания этих состояний, которая включает в себя 14-зонную систему уравнений kр-теории и приближенные условия сшивания на гетерограницах. Сравнение результатов, полученных с помощью псевдопотенциальных расчетов и на основе упрощенной модели, свидетельствует о хорошей точности предложенной модели.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	49112
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)