Поисковый запрос: (<.>K=квантовая яма<.>) |
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11 |
1.
| Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой/М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 180-183
|
2.
| Каналы излучательной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si[0. 93]Ge[0. 07]/Si/В. С. Багаев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 134,N вып. 5
|
3.
| Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом/М. А. Панков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009. т.Т. 136,N вып. 2
|
4.
| Кульбачинский В. А. Термодинамические, транспортные и магнитотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцем структурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs/В. А. Кульбачинский, Л. Ю. Щурова // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009. т.Т. 136,N вып. 1
|
5.
| Козлов Г. Г. Замедление света в брэгговском волноводе/Г. Г. Козлов, В. С. Запасский, В. В. Овсянкин // Оптика и спектроскопия, 2010. т.Т. 109,N N 3
|
6.
| Айзенштат Г. И. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AIGaAs/InGaAs/Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 9
|
7.
| Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs/А. И. Дмитриев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011. т.Т. 140,N вып. 1
|
8.
| Ратников П. В. Размерное квантование в графеновых планарных гетероструктурах: псевдоспиновое расщепление энергетического спектра, приграничные состояния и экситоны/П. В. Ратников, А. П. Силин // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012. т.Т. 141,N вып. 3.-С.582-601
|
9.
| Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 8.-С.50-55
|
10.
| Караваев Г. Ф. Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001)/Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 7.-С.34-40
|
11.
| Караваев Г. Ф. Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)/Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 10.-С.92-99
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50