Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кадмий - ртуть - теллур<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Протасов Д. Ю., Новоселов А. Р., Комбаров Д. В., Костюченко В. Я., Долбак А. Е., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А.
Заглавие : Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С.69-74: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/3). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. )
УДК : 53.07
ББК : 22.3с
Предметные рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур--кадмий - ртуть - теллур--низкотемпературные отжиги--оже-спектроскопия--фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю., Войцеховский А. В.
Заглавие : Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 7. - С.53-58. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 57-58 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--кадмий - ртуть - теллур--скорость поверхностной рекомбинации--фотогенерированные носители заряда
Аннотация: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий - ртуть - теллур р-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным изменением ширины запрещенной зоны и потенциальной ступеньки. Показано, что для снижения эффективной скорости поверхностной рекомбинации необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны увеличивалась на начальном участке более медленно, чем по линейному закону.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	1284
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)