Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ионные треки<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Демьянов С. Е., Канюков Е. Ю., Петров А. В., Белоногов Е. К.
Заглавие : Наноструктуры систем Si/SiO[2]/металл с треками быстрых тяжелых ионов
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1262-1264: рис. (Шифр ranf/2008/72/9)
Примечания : Библиогр.: c. 1264 (5 назв. )
УДК : 537.311.322:621.763
ББК : 22.332
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): система si/sio[2]/металл--наноструктуры--быстрые тяжелые ионы--химическое травление--ионные треки--электрохимическое осаждение--диоксид кремния--селективность
Аннотация: С помощью технологии быстрых тяжелых ионов, включающей облучение ионами {197}Au{26+}, химическое травление ионных треков и подпотенциальное электрохимическое осаждение, подготовлены и изучены структуры на основе систем SiO[2]/n-Si и SiO[2]/p-Si, с нанопорами в слоях диоксида кремния, заполненными наночастицами Cu и Ni.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Власукова Л. А., Комаров Ф. Ф., Ювченко В. Н., Скуратов В. А., Дидык А. Ю., Плякин Д. В.
Заглавие : Ионные треки в аморфном нитриде кремния
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С.226-228. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/2). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 228 (14 назв. )
УДК : 538.95-405:539.12.04 + 548:539.12.04
ББК : 22.3 + 26.303
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Геология
Минералогия
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 12.09.2024
Число запросов	30462
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)