Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ионно-лучевое травление<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Волков В. С., Григорьев Д. В., Ижнин И. И., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Посяцк М., Средин В. Г., Талипов Н. Х.
Заглавие : Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56 (Шифр izph/2008/51/9)
Примечания : Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК : 621.37/.39 + 621.382
ББК : 32 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--ионно-лучевое травление--полупроводники--фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ахсахалян А. А., Ахсахалян А. Д., Вайнер Ю. А., Волгунов Д. Г., Зорина М. В., Клюенков Е. Б., Каськов И. А., Кузнецов М. И., Нефедов И. М., Салащенко Н. Н., Харитонов А. И.
Заглавие : Применение реактивного ионно-лучевого травления для коррекции формы рентгеновских зеркал
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С.196-198. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/2). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 198 (5 назв. )
УДК : 621.793.164
ББК : 34.64
Предметные рубрики: Машиностроение
Соединения деталей машин
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--киркпатрика-байеза скрещенные системы--реактивное ионно-лучевое травление--рентгеновские зеркала--скрещенные системы киркпатрика-байеза--фокусирующие свойства--цилиндрические поверхности
Аннотация: В работе представлена методика коррекции формы цилиндрических поверхностей методом реактивного ионно-лучевого травления. Приведены результаты эксперимента по изготовлению поверхности из стекла в форме эллиптического цилиндра.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	35820
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)