Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероэпитаксиальные структуры<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Волков В. С., Григорьев Д. В., Ижнин И. И., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Посяцк М., Средин В. Г., Талипов Н. Х.
Заглавие : Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56 (Шифр izph/2008/51/9)
Примечания : Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК : 621.37/.39 + 621.382
ББК : 32 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--ионно-лучевое травление--полупроводники--фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С.3-18. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2009/52/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 18 (28 назв. )
УДК : 621.315.55/.58
ББК : 31.232
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--дифференциальное сопротивление--диэлектрики--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--метод проводимости--млэ--полупроводники--пространственный заряд в мдп-структурах--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Горн Д. И., Ижнин И. И., Ижнин А. И., Гольдин В. Д., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В., Варавин В. С.
Заглавие : Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С.50-55: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 55 (17 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): крт млэ--гетероэпитаксиальные структуры--зонная диаграмма--квантовая яма--молекулярно-лучевая эпитаксия--наногетероструктуры--полупроводниковые структуры--фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Талипов Н. Х.
Заглавие : Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С.3-14: рис., табл. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/12). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 14 (33 назв. )
УДК : 537.311.33 + 621.315.55/.58
ББК : 22.379 + 31.232
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ик-излучение--гетероэпитаксиальные слои--гетероэпитаксиальные структуры--дефектообразование--ионная имплантация--лазерное облучение--облучение поверхностных слоев--радиационные дефекты
Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 05.08.2024
Число запросов	41938
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)