Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры<.>)

Общее количество найденных документов : 138
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Basic requirements of spin-flip Raman scattering on excitonic resonances and its modulation through additional high-energy illumination in semiconductor heterostructures [Text] / J. Debus [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 8. - С. 1583. - Полный текст ст. опубликован в журн. "Physics of the Solid" . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел--Россия--Санкт-Петербург, 2017 г.
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- конференции -- международные семинары -- низкоразмерные полупроводники -- полупроводниковые гетероструктуры -- рамановское рассеяние -- семинары -- экситонные резонансы
Аннотация: Описаны основные требования к экспериментальному выполнению и наблюдению резонансного рамановского рассеяния на экситонных резонансах в низкоразмерных полупроводниках.

Доп.точки доступа:
Debus, J.; Kudlacik, D.; Sapega, V. F.; Shamirzaev, T. S.; Yakovlev, D. R.; Reuter, D.; Wieck, A. D.; Waag, A.; Bayer, M.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Magnetoresistivity in a tilted magnetic field in p-Si/SiGe/Si heterostructures with an anisotropic g-factor. Part II [Текст] / I. L. Drichko [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 142, вып. 3. - С. 542-546. - Библиогр.: с. 546 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- магнитное поле -- анизотропия -- гетероструктуры

Доп.точки доступа:
Drichko, I. L.; Smirnov, I. Y.; Suslov, A. V.; Mironov, O. A.; Leadley, D. R.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Amirabbasi, M.
The role of AlGaN buffers and channel thickness in the electronic transport properties of Al[x]In[1-x]N/AlN/GaN heterostructures [Text] / M. Amirabbasi // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 149, вып. 1. - С. 181-186. - Библиогр.: с. 186 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- транспортные свойства

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Адмиттанская спектроскопия как метод исследования релаксационных процессов в квантово-размерных структурах [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1491-1497. . - Библиогр.: c. 1497 (11 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- квантово-размерные структуры -- квантовые ямы -- методы исследования -- наногетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- релаксационные процессы -- светоизлучающие гетероструктуры
Аннотация: На примере комплексных исследований полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN показаны широкие возможности методов спектроскопии адмиттанса как современного и эффективного метода исследования релаксационных процессов в квантово-размерных гетероструктурах. По характеру релаксации носителей заряда, выявленному из температурных спектров проводимости, определена природа эмитирующих центров в наногетероструктурах на основе InGaN/GaN.

Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.; Яковлев, И. Н.; Кучерова, О. В.; Орлова, Т. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кулакова, Л. А.
Акустоэлектронные и упругооптические эффекты в лазерных структурах на квантовой яме [Текст] / Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. В. Лютецкий // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 10. - С. 1476-1482. - Библиогр.: c. 1482 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a534

^a535

ББК 22.32 + 22.34
Рубрики: Физика
Акустика в целом
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектронные эффекты -- квантовые ямы -- лазерные гетероструктуры -- поляризационные свойства излучения -- упругие деформации -- упругооптические эффекты
Аннотация: Выполнен экспериментальный и теоретический анализ влияния комплекса переменных упругих деформаций на поляризационные свойства излучения напряженных лазерных гетероструктур. Экспериментально исследовано изменение интенсивности и направления поляризации излучения InGaAsP/InP и GaInAs/GaAs лазерных гетероструктур под влиянием ультразвуковых деформаций, возбуждаемых объемными и поверхностными волнами. Проведено сравнение акустоэлектронного и упругооптического механизмов деформационного воздействия на изменение поляризационных свойств излучения наноразмерных гетероструктур.

Доп.точки доступа:
Аверкиев, Н. С.; Лютецкий, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Караваев, Г. Ф.
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.

Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

Аннотации статей, депонированных в ВИНИТИ [Текст] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 114 . - ISSN 0021-3411

УДК

^a548/549

^a544.22

ББК 26.303 + 24.52
Рубрики: Геология
   Минералогия
   Химия твердого тела
   Химия
Кл.слова (ненормированные):
Wyckoff-подрешетки -- гетероструктуры -- колебательные спектры -- кристаллы -- расчеты колебательных спектров -- расчеты электронных спектров -- тетрагональная пространственная группа -- тетрагональная сингония -- электронных спектры
Аннотация: Представлена информация о статьях, депонированных в ВИНИТИ.

Доп.точки доступа:
Поплавной, А. С.; Филиппов, Р. И.; Басалаев, Ю. М.; Кособуцкий, А. В.; Малышева, Е. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb [Текст] / Д. Л. Алфимова [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 7. - С. 1277-1282 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (35 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
висмут -- гетероструктуры -- люминесцентные свойства -- структурное совершенство -- тонкопленочные упругонапряженные гетероструктуры -- упругонапряженные гетероструктуры
Аннотация: Исследовано влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства гетероструктур Al[x]In[y]Ga[1-x-y]Bi[z]Sb[1-z]/GaSb.

Доп.точки доступа:
Алфимова, Д. Л.; Лунина, М. Л.; Лунин, Л. С.; Пащенко, А. С.; Казакова, А. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Тааев, Т. А.
Влияние магнитомягкой фазы на процессы перемагничивания магнитотвердого/магнитомягкого бислоя [Текст] / Т. А. Тааев, К. Ш. Хизриев, А. К. Муртазаев // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 6. - С. 846-850 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (28 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Дагестан--Махачкала, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
Монте-Карло метод -- выступления -- гетероструктуры -- доклады -- конференции -- магнетизм -- магнитомягкая гетероструктура -- магнитотвердая гетероструктура -- международные конференции -- метод Монте-Карло -- перемагничивание
Аннотация: Проведено исследование процессов перемагничивания магнитотвердого/магнитомягкого бислоя во внешнем магнитном поле с помощью метода Монте-Карло.

Доп.точки доступа:
Хизриев, К. Ш.; Муртазаев, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

11.

Кулеев, И. И.
Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах [Текст] / И. И. Кулеев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С. 426-432 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (27 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
AlGaAs -- GaAs/AlGaAs -- гетероструктуры -- низкие температуры -- теплопроводность -- фокусировка фононов -- фононы
Аннотация: Исследовано влияние анизотропии упругих свойств на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Воздействие механических напряжений на зарядовое состояние межфазной границы в гетероструктурах LaAlO[3]/(001)SrTiO[3] c нарушенной стехиометрией [Текст] / Ю. А. Бойков [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 1. - С. 171-174 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- зарядовое состояние -- кристаллография в целом -- межфазные границы -- механические напряжения -- нарушенная стехиометрия -- стехиометрия
Аннотация: Показано, что при формировании гетероструктуры LaAlO[3]/SrTiO[3] происходит взаимообмен ионами Sr подложки и La пленки.

Доп.точки доступа:
Бойков, Ю. А.; Серенков, И. Т.; Сахаров, В. И.; Данилов, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Гаджиалиев, М. М.
Вольт-амперная характеристика гетероструктуры p-Ge/n-GaAs при встречных тепловых потоках [Текст] / М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С. 118-120 : рис. - Библиогр.: c. 120 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.31.031

ББК 31.29
Рубрики: Энергетика
Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
гетеропроводники -- гетероструктуры -- градиент -- коэффициент выпрямления приборов
Аннотация: Исследование путей увеличения коэффициента выпрямления приборов. Дана вольт-амперная характеристика гетероструктуры p-Ge/n-GaAs при встречных тепловых потоках.

Доп.точки доступа:
Пирмагомедов, З. Ш.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Ефименко, А. В.
Газовые сенсоры на основе гетероструктур анодных пленок циркониевой нити [Текст] / А. В. Ефименко, Т. Л. Семенова, А. Н. Салюк // Материаловедение. - 2010. - N 7. - С. 47-52 . - ISSN 1684-579Х

УДК

^a544.4

ББК 24.542
Рубрики: Химия
Химическая кинетика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- анодные пленки -- электропроводность -- хемосорбция -- сенсоры -- твердые электролиты -- циркониевые нити -- вентильные металлы -- анодные оксидные пленок
Аннотация: Были исследованы свойства класса сенсоров на основе анодных оксидных пленок (АОП) вентильных металлов (Zr, Ti, Nb), позволяющие получать более совершенные по параметрам и технологиям сенсоры.

Доп.точки доступа:
Семенова, Т. Л.; Салюк, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Кукушкин, В. А.
Генерация среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 522-531 : 4 рис. - Библиогр.: с. 530-531

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
низкоразмерные гетероструктуры -- лазеры -- полупроводниковые лазеры -- излучения -- гетероструктуры -- инфракрасное излучение -- ближняя инфракрасная область -- генерация -- среднее инфракрасное излучение
Аннотация: Предложен метод генерации среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Светлов, С. П.
Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа [Текст] / С. П. Светлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 118-120. - Библиогр.: с. 120 (5 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои Si/Si[1-x]Ge[x]: Er были выращены на подложках Si (100) при относительно низкой температуре 500 градусов Цельсия методом сублимации кремния в среде GeH[4].

Доп.точки доступа:
Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Шабанов, В. Н.; Денисов, С. А.; Красильник, З. Ф.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Гигантский экваториальный эффект Керра в магнитоплазмонных гетероструктурах. Метод матрицы рассеяния [Текст] / В. И. Белотелов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып. 5. - С. 932-942. - Библиогр.: с. 941-942 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
экваториальный эффект Керра -- Керра экваториальный эффект -- магнитоплазмонные гетероструктуры -- гетероструктуры -- метод матрицы рассеяния -- матрицы рассеяния -- рассеяние -- метод связанных фурье-мод
Аннотация: Изучен экваториальный эффект Керра в металлической решетке на магнитной подложке. При этом использованы методы связанных фурье-мод и матрицы рассеяния.

Доп.точки доступа:
Белотелов, В. И.; Быков, Д. А.; Досколович, Л. Л.; Калиш, А. Н.; Звездин, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Двумерные триплетные магнитоэкситоны и магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах [Текст] / Л. В. Кулик [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 8. - С. 1597-1605 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Санкт-Петербург, 2017 г.
Кл.слова (ненормированные):
AlGaAs -- GaAs/AlGaAs -- гетероструктуры -- конденсат -- конференции -- кристаллография в целом -- магнетофермионный конденсат -- магнитоэкситоны -- международные семинары -- семинары
Аннотация: При фотовозбуждении достаточно плотного газа долгоживущих триплетных циклотронных магнитоэкситонов обнаружено принципиально новое коллективное состояние - магнетофермионный конденсат.

Доп.точки доступа:
Кулик, Л. В.; Горбунов, А. В.; Журавлев, А. С.; Тимофеев, В. Б.; Кукушкин, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С. 69-74 : рис. - Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур -- кадмий - ртуть - теллур -- низкотемпературные отжиги -- оже-спектроскопия -- фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.

Доп.точки доступа:
Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Десорбция "горячих" атомов дейтерия из гетероструктуры Pb/PdO: D[x] при возбуждении ее водородной подсистемы [Текст] / А. Г. Липсон [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 5, апрель. - С. 621-625. : 4 рис. - Библиогр.: с. 625

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомы дейтерия -- водородные подсистемы -- десорбция атомов -- подсистема дейтерида
Аннотация: Впервые проведены измерения выхода D-реакции, позволившие определить среднюю кинетическую энергию десорбируемых ионов D. Результат указывает на "разогрев" атомов водорода.

Доп.точки доступа:
Липсон, А. Г.; Чернов, И. П.; Русецкий, А. С.; Цивадзе, А. Ю.; Ляхов, Б. Ф.; Черданцев, Ю. П.; Саунин, Е. И.; Саков, Д. М.; Тюрин, Ю. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Тематический навигатор

Статистика за 18.09.2024
Число запросов	13526
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)