Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры<.>) |
Общее количество найденных документов : 138
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Вдовин Е.Е. Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs/Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007. т.Т. 132,N N 1.-С.166-170
|
2.
| Тулина Н.А. Инверсия эффекта резистивного переключения в электронно-допированном Ba[0. 6]K[0. 4]BiO[3-x]/Н. А. Тулина, Л. А. Клинкова // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007. т.Т. 132,N N 1.-С.268-271
|
3.
| Оптические и магнитотранспортные свойства гетероэпитаксиальной структуры Nd[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]-Sm[0. 55]Sr[0. 45]MnO[3]/А. В. Телегин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 11.-С.С. 1626-1627
|
4.
| Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100)/Ж. В. Смагина [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 133,N вып. 3.-С.С. 593-604
|
5.
| Кукушкин В. А. Генерация среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах/В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 133,N вып. 3.-С.С. 522-531
|
6.
| Формирование и некоторые свойства гетеропереходов ZnO/A{III}N/Б. М. Атаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 5.-С.С. 681-683
|
7.
| Калинин Д. В. Фотонные гетероструктуры на основе монокристаллических пленок опала/Д. В. Калинин [и др. ] // Доклады Академии наук, 2007. т.Т. 413,N N 3.-С.С. 329-331
|
8.
| Структурные изменения в многослойных нанопленках Ti/Al/К. О. Базалеева [и др. ] // Материаловедение, 2008,N N 4.-С.С. 35-39
|
9.
| Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой/М. В. Дорохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 180-183
|
10.
| Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле/Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 229-231
|
11.
| Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si/А. Г. Спиваков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 257-261
|
12.
| Манак И. С. Лазерные диоды с широким плоским спектром волноводного усиления в диапазоне 1-3 мкм/И. С. Манак, Д. В. Ушаков, В. С. Белявский // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 262-264
|
13.
| Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа/Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 268-271
|
14.
| Чернышов В. Н. Анализ условий в гетероструктурах/В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 1.-С.С. 39-44
|
15.
| Светлов С. П. Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа/С. П. Светлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 1.-С.С. 118-120
|
16.
| Зубков В. И. Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs/В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 1.-С.С. 111-113
|
17.
| Гарифуллин И. А. Структура границ раздела в многослойных тонкопленочных металлических гетероструктурах/И. А. Гарифуллин, Н. Н. Гарифьянов, Р. И. Салихов // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 2.-С.С. 280-282
|
18.
| Магнитозависящий сверхпроводящий транспорт в оксидных гетероструктурах с антиферромагнитной прослойкой/Ю. В. Кислинский [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 133:вып. 4.-С.С. 914-920
|
19.
| Горбацевич А. А. Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе/А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 134, вып:вып. 2.-С.С. 338-353
|
20.
| Болховитянов Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок/Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук, 2008. т.Т. 178,N N 5.-С.С. 459-480
|
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50