Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=гетеронаноструктуры InAs/GaAs<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Горшков А. П., Волкова Н. С., Карпович И. А., Здоровейщев А. В., Полова И. А.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С.61-63. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: с. 63 (7 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений--гетеронаноструктуры inas/gaas--квантовые точки--температурная зависимость--фотоэлектрические спектры
Аннотация: Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек.
Найти похожие

 
Статистика
за 18.09.2024
Число запросов 14773
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)