Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=гетеронаноструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотомагнитные эффекты--фмэ--гетеронаноструктуры--гнс--эпитаксиальные слои--квантово-размерные слои--гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е., Горбачева Е. А.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs и дельта-слоем Mn
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 23-26 (Шифр ranf/2011/75/1)
Примечания : Библиогр.: c. 26 (7 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Аннотация: Исследовано влияние встраивания дельта-слоя Mn в гетероструктуры с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs на спектры фотомагнитного эффекта в этих структурах.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Истомин Л. А.
Заглавие : Динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn гетероструктурах с квантовой ямой и квантовыми точками In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 27-30 (Шифр ranf/2011/75/1)
Примечания : Библиогр.: c. 30 (4 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Аннотация: Исследован динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn эпитаксильных слоях и квантово-размерных гетеронаноструктурах p-типа с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Горшков А. П., Волкова Н. С., Карпович И. А., Здоровейщев А. В., Полова И. А.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С.61-63. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: с. 63 (7 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений--гетеронаноструктуры inas/gaas--квантовые точки--температурная зависимость--фотоэлектрические спектры
Аннотация: Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Звонков Б. Н., Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Дорохин М. В., Дроздов М. Н., Здоровейщев Д. А., Калентьева И. Л., Кузнецов Ю. М., Кудрин А. В., Нежданов А. В., Парафин А. Е., Хомицкий Д. В.
Заглавие : Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С.1245-1252: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/9). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (15 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков --Россия --Нижний Новгород, 2021 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ingaas/gaas--мос-гидридная эпитаксия--гетеронаноструктуры--импульсное лазерное нанесение--магнитные полупроводники--международные симпозиумы--симпозиумы--спиновые инжекторы
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований влияния импульсного лазерного отжига на квантово-размерные структуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn) As в качестве спинового инжектора на поверхности.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Садовников С. И.
Заглавие : Упругие свойства нанокристаллических кубических сульфидов Ag[2]S и ZnS
Серия: Динамика решетки
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С.1407-1414: 4 рис., 2 табл. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/9). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (33 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетеронаноструктуры--кристаллография в целом--кубические сульфиды--нанокристаллические кубические сульфиды--сульфид серебра--сульфид цинка--упругие свойства
Аннотация: Показано, что большое количество кубического сульфида цинка стабилизирует кубическую структуру аргентита при 300 K в процессе осаждения гетеронаноструктур Ag[2]S/ZnS из коллоидных растворов.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 28263
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)