Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=выращивание кристаллов<.>)
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шикунова И. А., Курлов В. Н., Классен Н. В.
Заглавие : Использование профилированных кристаллов сапфира в медицине
Серия: Современные технологии
Место публикации : Материаловедение. - 2007. - N 10. - С. 43-55 (Шифр mtrl/2007/10)
ISSN: 1684-579X
УДК : 620.1/.2
ББК : 30.3
Предметные рубрики: Техника-- Материаловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сапфир--медицина--профилированные кристаллы--медицинская практика--искусственный сапфир--анизотропные кристаллы--кристаллы сапфира--электролитическая пассивность--выращивание кристаллов
Аннотация: Представлен обзор вариантов использования сапфира в медицине.
Экземпляры :з.п.(1)
Свободны : з.п.(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шикунова И. А., Курлов В. Н., Классен Н. В.
Заглавие : Использование профилированных кристаллов сапфира в медицине
Серия: Современные технологии
Место публикации : Материаловедение. - 2007. - N 10. - С. 43-55 (Шифр mtrl/2007)
ISSN: 1684-579X
УДК : 620.1/.2
ББК : 30.3
Предметные рубрики: Техника-- Материаловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сапфир--медицина--профилированные кристаллы--медицинская практика--искусственный сапфир--анизотропные кристаллы--кристаллы сапфира--электролитическая пассивность--выращивание кристаллов
Аннотация: Представлен обзор вариантов использования сапфира в медицине.
Экземпляры :з.п.(1)
Свободны : з.п.(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Заглавие : [Новости из Интернета]
Серия: ИР и мир
Место публикации : Изобретатель и рационализатор. - 2007. - N 9. - С. 29 (Шифр izra/2007/9)
ISSN: 0130-1802
УДК : 004.7 + 608
ББК : 32.973.202 + 30у
Предметные рубрики: Вычислительная техника-- Компьютерные сети
Техника-- Изобретательство и рационализация. Патентное дело
Аннотация: Обзор новых разработок российских и зарубежных специалистов, размещенных в Интернете.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Россоленко С. Н., Курлов В. Н., Асрян А. А.
Заглавие : Анализ профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова . Ч. 1
Серия: Методы анализа и испытаний материалов
Место публикации : Материаловедение. - 2008. - N 9. - С.6-16 (Шифр mtrl/2008/9)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Аннотация: Исследовано поведение профильных кривых менисков расплава для случая выращивания способом Степанова сапфировых труб большого диаметра. Рассмотрены случаи внешних и внутренних круговых менисков, образуемых кристаллической трубой.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Россоленко С. Н., Курлов В. Н., Асрян А. А.
Заглавие : Анализ профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова . Ч. 2
Серия: Методы анализа и испытаний материалов
Место публикации : Материаловедение. - 2008. - N 10. - С. 2-8 (Шифр mtrl/2008/10)
Примечания : Начало: N 9
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--способ степанова--степанова способ--малые мениски расплавов--кристаллические ленты--выращивание сапфиров
Аннотация: Исследованы профильные кривые малых менисков расплава, характерные для процессов выращивания кристаллических капилляров и волокон по способу Степанова.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Акчурин М. Ш., Закалюкин Р. М., Каминский А. А., Купенко И. И.
Заглавие : Двойникование - вероятный механизм релаксации напряжений при образовании тугоплавких кристаллических оксидов: кристаллокерамик и монокристаллов
Серия: Физика
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 427, N 6, август. - С. 765-767 (Шифр dran/2009/427/6)
Примечания : Библиогр.: с. 767
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазерные кристаллокерамики--кубические оксиды--иттрийалюминиевый гранат--тугоплавкие оксиды--кристаллические оксиды--кристаллокерамики--монокристаллы--выращивание кристаллов--двойникование--релаксация напряжений
Аннотация: Новый взгляд на строение кристалла Y[3]Al[5]O[21] позволил продемонстрировать возможность двойникования в плоскости, при котором центр симметрии меняется на антицентр, что сложно зафиксировать рентгеноструктурными методами.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аветисов И. Х., Жариков Е. В., Зиновьев А. Ю., Садовский А. П.
Заглавие : Новый метод управления тепломассопереносом в расплаве при выращивании кристаллов по Чохральскому
Серия: Техническая физика
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 177-179: 3 рис. (Шифр dran/2009/428/2)
Примечания : Библиогр.: с. 179 (8 назв. )
УДК : 532
ББК : 22.253
Предметные рубрики: Механика
Гидромеханика и аэромеханика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--метод чохральского--чохральского метод--тепломассопереносы--рост кристаллов--аксиальные вибрации
Аннотация: Разработана новая схема ввода аксиальных низкочастотных вибраций в конфигурации метода Чохральского, согласно которой вынужденные потоки в расплаве генерируются путем аксиальных осцилляций диска, погруженного в кристалл.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Редчиц В. П., Колесников А. И., Каплунов И. А.
Заглавие : Движение газовых включений относительно твердой матрицы, инициированное диффузионным переносом массы в неоднородном температурном поле
Серия: Методы анализа и испытаний материалов
Место публикации : Материаловедение. - 2009. - N 11. - С.7-11. - ISSN 1684-579Х (Шифр mtrl/2009/11). - ISSN 1684-579Х
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газовые включения--твердые матрицы--температурные поля--монокристаллы--диффузионный перенос--парателлуриты--выращивание кристаллов--способ чохральского--чохральского способ
Аннотация: Теоретически и экспериментально на основе модели диффузионного переноса исследовано движение газовых пузырьков в монокристаллах парателлурита в поле градиента температур.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гликин А. Э., Крючкова Л. Ю., Плоткина Ю. В., Таратин Н. В.
Заглавие : Микромозаичное распределение компонентов и особенности генезиса смешанных кристаллов в растворах
Серия: Геохимия
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 433, N 1. - С.85-87. - ISSN 0869-5652 (Шифр dran/2010/433/1). - ISSN 0869-5652
Примечания : Библиогр.: с. 87 (10 назв. )
УДК : 548/549
ББК : 26.303
Предметные рубрики: Геология
Минералогия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--монокристаллы--мозаичность--атомно-силовая микроскопия--выращивание кристаллов--смешанные кристаллы
Аннотация: Представлены данные о мозаичном строении смешанных монокристаллов, обнаруженном у синтезированных образцов водорастворимых солей и являющемся следствием поверхностной неоднородности.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Саркисов С. Ю., Атучин В. В., Гаврилова Т. А., Кручинин В. Н., Березная С. А., Коротченко З. В., Толбанов О. П., Чернышов А. И.
Заглавие : Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe: Te
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 21-26 (Шифр izph/2010/53/4)
Примечания : Библиогр.: c. 26 (15 назв. )
УДК : 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--монокристаллы--селенид галлия--электронная микроскопия--эллипсометрия
Аннотация: Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe: Te методом Бриджмена - Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца - Друде.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Уракаев Ф. Х., Шевченко В. С., Кононова Н. Г., Светлякова Т. Н., Кох А. Е.
Заглавие : Влияние механической активации на свойства шихты для выращивания монокристаллов NaBi (WO[4]) [2] и ScBaNa (BO[3]) [2]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 664-667 (Шифр ranf/2011/75/5)
Примечания : Библиогр.: c. 666-667 (12 назв. )
УДК : 53.091 + 548-1:55
ББК : 22.3 + 26.303
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Геология
Минералогия
Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния "незагрязняющей" механической активации (без абразивно-реакционного износа материала мелющих тел механохимических реакторов) оксидно-карбонатно-кислотных систем на синтез и свойства шихты для выращивания объемных кристаллов.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ковальчук М. В., Фейгин Л. А., Яцишина Е. Б.
Заглавие : Апостол кристаллографии : к 125-летию со дня рождения академика А. В. Шубникова
Серия: Этюды об ученых
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 4. - С.363-369: 4 фот. - ISSN 0869-5873 (Шифр vran/2012/82/4). - ISSN 0869-5873
Примечания : Библиогр.: с. 369 (2 назв. )
УДК : 001(091)
ББК : 72.3
Предметные рубрики: Наука. Науковедение
История науки
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): академики--выращивание кристаллов--жидкие кристаллы--кристаллографические исследования--кристаллографы--научные исследования--синтетические кристаллы--советская кристаллография--ученые--юбилеи
Аннотация: Алексей Васильевич Шубников – основатель советской кристаллографии, организатор и вдохновитель важнейших работ в этой области у нас в стране, человек, стоявший у истоков современной промышленности выращивания кристаллов, ученый-новатор с исключительно широким кругом научных интересов.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кириллов, Андрей Александрович (аспирант)
Заглавие : Анализ искажения формы сигнала на выходе цифрового регулятора напряжения
Параллельн. заглавия :Analysis of signal deformation in output of digital voltage regulator
Серия: Автоматизированные системы управления
Место публикации : Вестник Ивановского государственного энергетического университета. - 2012. - Вып. 4. - С.46-50: диагр., схемы. - ISSN 2072-2672 (Шифр veiv/2012/4). - ISSN 2072-2672
Примечания : Библиогр.: с. 50 (4 назв.). - Примеч.: с 47
УДК : 681.3:62-52
ББК : 30.6-5-05
Предметные рубрики: Техника
Автоматизация оборудования
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы сапфира--выращивание кристаллов--электрическая мощность--цифровые регуляторы напряжения--црн--секционированные трансформаторы--широтно-импульсное модулирование--шим--методы управления--шим-управление
Аннотация: Зависимость коэффициента искажений формы сигнала от параметров регулятора, построенного на основе секционированных трансформаторов.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Уракаев Ф. Х., Беккер Т. Б., Стонога С. Ю., Кононова Н. Г., Шевченко В. С., Кох А. Е.
Заглавие : Влияние механической активации на свойства шихты для выращивания кристаллов BaB[2]O[4] и Ba[2]Na[2][B[3]O[6]][2]F
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 7. - С.923-927. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/7). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 926-927 (19 назв. )
УДК : 53.091 + 548-1:55
ББК : 22.3 + 26.303
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Геология
Минералогия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--метаборат бария--механическая активация--механохимические процессы--термический синтез--фторборат--шаровые планетарные мельницы--шихта
Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния механической активации карбонатно-кислотной, BaCO[3]-HBO[2]/H[3]BO[3], и карбонатно-кислотно-фторидной, BaCO[3]-Na[2]CO[3]-NaF- (HBO[2]/H[3]BO[3]) [2], систем на термический синтез метабората бария бета-BaB[2]O[4] и фторбората Ba[2]Na[2][B[3]O[6]][2]F.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Антонов П. В., Бердников В. С.
Заглавие : Зависимости формы фронта кристаллизации и скорости роста слитка кремния от режима теплообмена в методе Бриджмена-Стокбаргера
Место публикации : Прикладная механика и техническая физика. - 2012. - Т. 53, № 6. - С.65-77. - ISSN 0869-5032 (Шифр pmph/2012/53/6). - ISSN 0869-5032
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--плоскодонные тигли--кристаллизация--кремний--теплопроводность--термогравитационная конвекция--метод бриджмена-стокбаргера--бриджмена-стокбаргера метод
Аннотация: Численно исследован сопряженный теплообмен при выращивании кристаллов мультикремния в плоскодонных тиглях по методу Бриджмена-Стокбаргера. С учетом теплоты фазового перехода решены нестационарные уравнения конвективного теплообмена в области, занятой расплавом кремния, а также уравнения теплопроводности в массиве затвердевшего кремния и в стенках графитового тигля правильной цилиндрической формы. Проведено сравнение процессов кристаллизации в режиме нестационарной теплопроводности и режиме термогравитационной конвекции.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Антонов Е. В., Багдасаров Х. С., Буташин А. В., Каневский В. М., Набатов Б. В., Федоров В. А.
Заглавие : Кристаллы YAG:Yb для широкоапертурных лазеров и усилителей
Серия: Материалы квантовой электроники и фотоники
Место публикации : Перспективные материалы. - 2012. - № 6. - С.23-26: 4 рис. - ISSN 1028-978Х (Шифр ngnn/2012/6). - ISSN 1028-978Х
Примечания : Библиогр.: с. 26 (14 назв. )
УДК : 539.2 + 536.42
ББК : 22.37 + 22.375
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Термодинамика твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--иттрий-алюминиевый гранат--иттербий--лазерные материалы--оптическая спектроскопия--центры окраски
Аннотация: Исследовано совершенство широкоапертурных активных элементов для лазеров и усилителей на основе кристаллов иттрий-алюминиевого граната с трехвалентным иттербием (YAG: Yb{3+}), которые могут быть использованы при создании сверхмощных лазерных систем для задач термоядерного синтеза. Найдены условия выращивания кристаллов YAG: Yb{3+} и послеростовой обработки, позволяющие получать из них широкоапертурные активные элементы с оптическим совершенством, приемлемым для проведения экспериментов по лазерной генерации.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Денисов В. М., Денисова Л. Т., Гудим И. А., Темеров В. А., Патрин Г. С., Волков Н. В., Чумилина Л. Г.
Заглавие : Теплоемкость YAL[3](BO[3])[4] в области 329-1051 K
Серия: Физика
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 453, № 6, декабрь. - С.628-629: 1 рис., 1 табл. - ISSN 0869-5652 (Шифр dran/2013/453/6). - ISSN 0869-5652
Примечания : Библиогр. : с. 629 (11 назв.)
УДК : 536.42
ББК : 22.375
Предметные рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дебая функция--дюлонга-пти предел--майера-келли уравнение--выращивание кристаллов--кристаллы бората иттрия-алюминия--предел дюлонга-пти--теплоемкость--уравнение майера-келли--функция дебая
Аннотация: Наиболее оптимальным способом выращивания кристаллов бората иттрия-алюминия является раствор-расплавная кристаллизация.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зеленина Л. Н., Чусова Т. П., Подберезская Н. В., Пирязев Д. А., Корольков И. В.
Заглавие : Новый полиселенид празеодима PrSe[1,95]: синтез и рентгеноструктурное исследование кристаллов
Серия: Кристаллохимия
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2015. - Т. 56, № 4. - С.721-727: 4 рис., 3 табл. - ISSN 0136-7463 (Шифр sztc/2015/56/4). - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: с. 727 (21 назв. )
УДК : 544.33 + 546 + 544.22
ББК : 24.532 + 24.12 + 24.52
Предметные рубрики: Химия
Термохимия
Химические элементы и их соединения
Химия твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--газотранспортный метод--полиселениды празеодима--рентгеноструктурный анализ--рентгенофазовый анализ--термодинамическое моделирование
Аннотация: Термодинамическое моделирование системы Pr-Se-I позволило определить оптимальные условия выращивания нового кристаллического полиселенида празеодима PrSe[1, 95], существование которого было доказано в наших предыдущих работах. С опорой на полученную информацию транспортным методом с использованием иода в качестве транспортного агента выращены кристаллы PrSe[1, 95]. Полученные кристаллы идентифицированы микрозондовым и рентгенофазовым анализами.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Саханский C. П. (доктор технических наук; профессор)
Заглавие : Управление выращиванием кристаллов лейкосапфира
Серия: Управление технологическими процессами
Место публикации : Мехатроника, автоматизация, управление. - 2017. - Т. 18, № 12. - С.840-846: ил. - ISSN 1684-6427 (Шифр maup/2017/18/12). - ISSN 1684-6427
Примечания : Библиогр.: с. 845-846 (18 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова, список литературы на русском и английском языках
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--жидкие расплавы--контроллеры--кристаллизация--кристаллы лейкосапфиров--лейкосапфиры
Аннотация: Разработана модель управления нагревом и скоростью вытягивания кристаллов лейкосапфира при выращивании из жидкого расплава. Модель работает в реальном масштабе времени, на современных контроллерах, обеспечивая плоский фронт кристаллизации кристалла во время всего процесса. Приведена структурная схема весовой системы управления для вытягивания кристаллов лейкосапфира на основе взвешивания убывающего расплава в тигле и получения сигнала управления в функции отклонения текущей площади кристалла от заданной.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шалаев А. А., Русаков А. И., Шендрик Р. Ю., Субанаков А. К., Сокольникова Ю. В., Мясникова А. С.
Заглавие : Выращивание щелочно-земельных галоидных сцинтилляционных кристаллов и их оптические свойства
Серия: Примесные центры
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 5. - С.892-897: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2019/61/5). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (9 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом --Россия --Екатеринбург, 2018 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выращивание кристаллов--галоидные сцинтилляционные кристаллы--доклады--кристаллография в целом--кристаллы--международные симпозиумы--оптические свойства--симпозиумы--сцинтилляционные кристаллы--щелочно-земельные кристаллы
Аннотация: Рассматриваются особенности выращивания кристаллов щелочно-земельных галогенидов BaBrI, BaClI и SrBrI.
Найти похожие

 
Статистика
за 18.09.2024
Число запросов 14809
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)