Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=выращивание кристаллов<.>)
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20  
1.


    Шикунова, И. А.
    Использование профилированных кристаллов сапфира в медицине [Текст] / И. А. Шикунова, В. Н. Курлов, Н. В. Классен // Материаловедение. - 2007. - N 10. - С. . 43-55
УДК
ББК 30.3
Рубрики: Техника--Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
сапфир -- медицина -- профилированные кристаллы -- медицинская практика -- искусственный сапфир -- анизотропные кристаллы -- кристаллы сапфира -- электролитическая пассивность -- выращивание кристаллов
Аннотация: Представлен обзор вариантов использования сапфира в медицине.


Доп.точки доступа:
Курлов, В. Н.; Классен, Н. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

2.


    Шикунова, И. А.
    Использование профилированных кристаллов сапфира в медицине [Текст] / И. А. Шикунова, В. Н. Курлов, Н. В. Классен // Материаловедение. - 2007. - N 10. - С. . 43-55
УДК
ББК 30.3
Рубрики: Техника--Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
сапфир -- медицина -- профилированные кристаллы -- медицинская практика -- искусственный сапфир -- анизотропные кристаллы -- кристаллы сапфира -- электролитическая пассивность -- выращивание кристаллов
Аннотация: Представлен обзор вариантов использования сапфира в медицине.


Доп.точки доступа:
Курлов, В. Н.; Классен, Н. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

3.


   
    [Новости из Интернета] [Текст] // Изобретатель и рационализатор. - 2007. - N 9. - С. . 29
УДК
ББК 32.973.202 + 30у
Рубрики: Вычислительная техника--Компьютерные сети
   Техника--Изобретательство и рационализация. Патентное дело

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлементы -- выращивание кристаллов -- нанопленки -- нанотехнологии -- нанокомпозиты -- патенты на изобретения -- Интернет -- INTERET
Аннотация: Обзор новых разработок российских и зарубежных специалистов, размещенных в Интернете.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : пат. (1)
Свободны: пат. (1)

Найти похожие

4.


    Россоленко, С. Н.
    Анализ профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова [Текст]. Ч. 1 / С. Н. Россоленко, В. Н. Курлов, А. А. Асрян // Материаловедение. - 2008. - N 9. - С. 6-16
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- способ Степанова -- Степанова способ -- профилированные кристаллы -- сапфировые трубы -- кристаллизация из расплава -- формообразователи -- форма менисков
Аннотация: Исследовано поведение профильных кривых менисков расплава для случая выращивания способом Степанова сапфировых труб большого диаметра. Рассмотрены случаи внешних и внутренних круговых менисков, образуемых кристаллической трубой.


Доп.точки доступа:
Курлов, В. Н.; Асрян, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Россоленко, С. Н.
    Анализ профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова [Текст]. Ч. 2 / С. Н. Россоленко, В. Н. Курлов, А. А. Асрян // Материаловедение. - 2008. - N 10. - С. 2-8. . - Начало: N 9
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- способ Степанова -- Степанова способ -- малые мениски расплавов -- кристаллические ленты -- выращивание сапфиров
Аннотация: Исследованы профильные кривые малых менисков расплава, характерные для процессов выращивания кристаллических капилляров и волокон по способу Степанова.


Доп.точки доступа:
Курлов, В. Н.; Асрян, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Двойникование - вероятный механизм релаксации напряжений при образовании тугоплавких кристаллических оксидов: кристаллокерамик и монокристаллов [Текст] / М. Ш. Акчурин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 427, N 6, август. - С. 765-767. . - Библиогр.: с. 767
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
лазерные кристаллокерамики -- кубические оксиды -- иттрийалюминиевый гранат -- тугоплавкие оксиды -- кристаллические оксиды -- кристаллокерамики -- монокристаллы -- выращивание кристаллов -- двойникование -- релаксация напряжений
Аннотация: Новый взгляд на строение кристалла Y[3]Al[5]O[21] позволил продемонстрировать возможность двойникования в плоскости, при котором центр симметрии меняется на антицентр, что сложно зафиксировать рентгеноструктурными методами.


Доп.точки доступа:
Акчурин, М. Ш.; Закалюкин, Р. М.; Каминский, А. А.; Купенко, И. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

7.


   
    Новый метод управления тепломассопереносом в расплаве при выращивании кристаллов по Чохральскому [Текст] / И. Х. Аветисов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 177-179. : 3 рис. - Библиогр.: с. 179 (8 назв. )
УДК
ББК 22.253
Рубрики: Механика
   Гидромеханика и аэромеханика

Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- тепломассопереносы -- рост кристаллов -- аксиальные вибрации
Аннотация: Разработана новая схема ввода аксиальных низкочастотных вибраций в конфигурации метода Чохральского, согласно которой вынужденные потоки в расплаве генерируются путем аксиальных осцилляций диска, погруженного в кристалл.


Доп.точки доступа:
Аветисов, И. Х.; Жариков, Е. В.; Зиновьев, А. Ю.; Садовский, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


    Редчиц, В. П.
    Движение газовых включений относительно твердой матрицы, инициированное диффузионным переносом массы в неоднородном температурном поле [Текст] / В. П. Редчиц, А. И. Колесников, И. А. Каплунов // Материаловедение. - 2009. - N 11. - С. 7-11 . - ISSN 1684-579Х
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
газовые включения -- твердые матрицы -- температурные поля -- монокристаллы -- диффузионный перенос -- парателлуриты -- выращивание кристаллов -- способ Чохральского -- Чохральского способ
Аннотация: Теоретически и экспериментально на основе модели диффузионного переноса исследовано движение газовых пузырьков в монокристаллах парателлурита в поле градиента температур.


Доп.точки доступа:
Колесников, А. И.; Каплунов, И. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


   
    Микромозаичное распределение компонентов и особенности генезиса смешанных кристаллов в растворах [Текст] / А. Э. Гликин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 433, N 1. - С. 85-87. - Библиогр.: с. 87 (10 назв. ) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 26.303
Рубрики: Геология
   Минералогия

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- монокристаллы -- мозаичность -- атомно-силовая микроскопия -- выращивание кристаллов -- смешанные кристаллы
Аннотация: Представлены данные о мозаичном строении смешанных монокристаллов, обнаруженном у синтезированных образцов водорастворимых солей и являющемся следствием поверхностной неоднородности.


Доп.точки доступа:
Гликин, А. Э.; Крючкова, Л. Ю.; Плоткина, Ю. В.; Таратин, Н. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.


   
    Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe: Te [Текст] / С. Ю. Саркисов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 21-26. . - Библиогр.: c. 26 (15 назв. )
УДК
ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- монокристаллы -- селенид галлия -- электронная микроскопия -- эллипсометрия
Аннотация: Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe: Te методом Бриджмена - Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца - Друде.


Доп.точки доступа:
Саркисов, С. Ю.; Атучин, В. В.; Гаврилова, Т. А.; Кручинин, В. Н.; Березная, С. А.; Коротченко, З. В.; Толбанов, О. П.; Чернышов, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-20  
 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 51385
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)