Поисковый запрос: (<.>K=вторично-ионная масс-спектрометрия<.>) |
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 14 |
1.
| Послойный анализ наноразмерных структур методом ВИМС: функция разрешения по глубине/Ю. Кудрявцев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 7
|
2.
| Морозов С. Н. Вторичная ионная эмиссия при бомбардировке висмута кластерными ионами Bi{-}[m] и Au{-}[m]/С. Н. Морозов, У. Х. Расулев // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 7
|
3.
| Исследование процессов в буферных растворах биоорганических систем методом ВИМС/В. Н. Мельников [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 7
|
4.
| Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов {28, 29, 30}Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5/М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2010. т.Т. 74,N N 1.-С.84-86
|
5.
| Термически стойкие многослойные фильтры на основе молибдена для экстремального УФ-диапазона/М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2011. т.Т. 75,N N 1
|
6.
| Эволюция распределения элементов в свободно висящих структурах Zr/ZrSi[2] с защитными слоями MoSi[2] и ZrSu[2] при отжиге/М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2011. т.Т. 75,N N 1
|
7.
| Послойный анализ многослойных металлических структур Pd/B[4]C, Ni/C, Cr/Sc методом ВИМС с использованием кластерных вторичных ионов: проблема повышения разрешения по глубине/М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2011. т.Т. 75,N N 1
|
8.
| Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V-профилирования/М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2012. т.Т. 76,N № 2.-С.250-254
|
9.
| Исследования энергий диссоциации кластеров оксидов ниобия и ванадия, синтезированных ионным распылением/С. Е. Максимов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2012. т.Т. 76,N № 5.-С.593-597
|
10.
| Литвинов В. А. Исследование взаимодействия водорода с поверхностью геттерного сплава на основе циркония методом ВИМС/В. А. Литвинов, В. Т. Коппе, В. В. Бобков // Известия РАН. Серия физическая, 2012. т.Т. 76,N № 5.-С.620-625
|
11.
| Пустовит А. Н. Прецизионное профилирование по глубине структур наноэлектроники с использованием вторичных молекулярных ионов в методе ВИМС/А. Н. Пустовит, А. Ф. Вяткин // Известия РАН. Серия физическая, 2012. т.Т. 76,N № 9.-С.1095-1098
|
12.
| Чернявский А. В. Измерение диффузионных профилей в ионных кристаллах методом масс-спектрометрии вторичных ионов/А. В. Чернявский // Контроль. Диагностика, 2012,N № 11.-С.72-74
|
13.
| Сравнительное тестирование свободно висящих многослойных фильтров Mo/ZrSi[2] и Mo/NbSi[2] по термостабильности/М. Н. Дроздов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2013. т.Т. 77,N № 1.-С.94-96
|
14.
| Исследование пленок ZnS[x]Se[(1-x)] различного состава методом EXAFS-спектроскопии/А. Н. Бельтюков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2013. т.Т. 77,N № 9.-С.1299-1302
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50