Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=вольт-фарадные характеристики<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Якушев М. В.
Заглавие : Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45 (Шифр izph/2010/53/2)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
УДК : 621.3 + 537.311.33
ББК : 31.2 + 22.379
Предметные рубрики: Электротехника в целом
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--вольт-фарадные характеристики--диэлектрики--пассивация поверхности полупроводника--структура металл - диэлектрик - полупроводник--теллурид кадмия--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Петровская А. Н., Зубков В. И.
Заглавие : Исследование методами спектроскопии адмиттанса релаксации заряда в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1501-1507 (Шифр ranf/2011/75/10)
Примечания : Библиогр.: c. 1507 (12 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Аннотация: На основе анализа и математической обработки вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц и температур - от 320 до 10 К, на специально изготовленных для адмиттансных измерений образцах гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонкими смачивающими слоями InAs/GaAs, оценена величина заряда как функция от температуры. Обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ по сравнению с истинной величиной заряда в квантовых ямах.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Горбунов Э. А., Лавров П. П., Першин В. А., Серегин Д. С., Хабаров И. А.
Заглавие : Вольт-фарадные характеристики планарных наноструктур на основе сегнетоэлектрических пленок
Серия: Физика наноматериалов и наноструктур
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - Т. 3, № 1. - С.18-20. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2012/3/1). - ISSN 2225-0999
Примечания : Библиогр.: c. 20
УДК : 621.315.55/.58 + 621.7
ББК : 31.232 + 30.68
Предметные рубрики: Проводниковые материалы и изделия
Энергетика
Техника
Обработка материалов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): цтс--вольт-фарадные характеристики--золь-гель методы--наноструктуры--планарные наноструктуры--пленки цирконата-титаната свинца--сегнетоэлектрические пленки--цирконат-титанат свинца
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) планарных наноструктур на основе пленок ЦТС различной толщины, сформированных золь-гель методом на подложках Si/SiO_2_/TiO_2_/Pt для различного рода функциональных гетероструктур интегральных схем.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каменщиков М. В., Солнышкин А. В., Богомолов А. А., Пронин И. П.
Заглавие : Проводимость и барьерные эффекты тонкопленочных гетероструктур на основе PZT в зависимости от условий синтеза
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 8. - С.1142-1144. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/8). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1144 (13 назв. )
УДК : 537.226.4
ББК : 22.331
Предметные рубрики: Физика
Электростатика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные эффекты--вольт-амперные характеристики--вольт-фарадные характеристики--пула-френкеля эмиссия--тонкопленочные гетероструктуры--электропроводность--эмиссия пула-френкеля
Аннотация: Исследованы электропроводность и диэлектрические характеристики пленочных структур Pt/Pb (Zr[0. 54], Ti[0. 46]) O[3]/Pt, синтезированных при различных температурах. Получены вольт-амперные (ВАХ), вольт-фарадные (ВФХ) характеристики. Обнаружена асимметрия ВАХ, свидетельствующая о различии в величинах потенциальных барьеров на интерфейсах исследуемых структур, которая меняется в зависимости от условий синтеза. На основе ВФХ рассчитаны величины потенциальных барьеров на интерфейсах Pt/PZT. Выделены два основных механизма проводимости: омический и эмиссия Пула-Френкеля.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Луговой Е. В., Авдеев С. П., Серба П. В., Рубашкина М. В., Ткачук В. В.
Заглавие : Свойства наноразмерных пленок оксида алюминия, полученных золь-гель методом при тепловом и электронно-лучевом отжиге
Серия: Технология наноматериалов и наноструктур
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2013. - Т. 4, № 2. - С.30-35. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2013/4/2). - ISSN 2225-0999
Примечания : Библиогр.: c. 35
УДК : 669.7/.8 + 620.1/.2
ББК : 34.23/25 + 30.3
Предметные рубрики: Металловедение цветных металлов и сплавов
Технология металлов
Материаловедение
Техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): а1203--атомно-силовая микроскопия--вольт-фарадные характеристики--золь-гель технология--наноразмерные пленки оксида алюминия--пленки al_2 o_3--пленки оксида алюминия--рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия--тепловой нагрев--электронно-лучевая обработка--эллипсометрия
Аннотация: Рассмотрены вопросы синтеза наноразмерных пленок золь-гель технологией с последующим формированием стационарным и локальным тепловыми воздействиями в вакууме. В качестве пленкообразующего раствора применялся изопропилат алюминия, позволяющий получить высокочистый ксерогель бемита. Пленка ксерогеля является исходным материалом для рекристаллизации под воздействием тока электронного луча. Установлено, что модифицированные золь-гель пленки после отжига в вакууме и фазовых превращений имеют диэлектрическую проницаемость на 23... 26 % ниже, чем у монокристаллического сапфира.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 26270
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)