Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=варизонные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Волков В. С., Григорьев Д. В., Ижнин И. И., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Посяцк М., Средин В. Г., Талипов Н. Х.
Заглавие : Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56 (Шифр izph/2008/51/9)
Примечания : Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК : 621.37/.39 + 621.382
ББК : 32 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--ионно-лучевое травление--полупроводники--фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С.3-18. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2009/52/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 18 (28 назв. )
УДК : 621.315.55/.58
ББК : 31.232
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--дифференциальное сопротивление--диэлектрики--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--метод проводимости--млэ--полупроводники--пространственный заряд в мдп-структурах--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Якушев М. В.
Заглавие : Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45 (Шифр izph/2010/53/2)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
УДК : 621.3 + 537.311.33
ББК : 31.2 + 22.379
Предметные рубрики: Электротехника в целом
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--вольт-фарадные характеристики--диэлектрики--пассивация поверхности полупроводника--структура металл - диэлектрик - полупроводник--теллурид кадмия--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г.
Заглавие : Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9 (Шифр izph/2011/54/3)
Примечания : Библиогр.: c. 9 (14 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные области--варизонные слои--диэлектрики--мдп-структуры--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--неоднородность структур--полупроводники--резкие неоднородности структур--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю., Войцеховский А. В.
Заглавие : Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 7. - С.53-58. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 57-58 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--кадмий - ртуть - теллур--скорость поверхностной рекомбинации--фотогенерированные носители заряда
Аннотация: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий - ртуть - теллур р-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным изменением ширины запрещенной зоны и потенциальной ступеньки. Показано, что для снижения эффективной скорости поверхностной рекомбинации необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны увеличивалась на начальном участке более медленно, чем по линейному закону.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
Серия: Наноматериалы и наноструктуры в электронике
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С.39-47. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2016/7/4). - ISSN 2225-0999
Примечания : Библиогр.: c. 47 (19 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--варизонные слои--диэлектрики-полупроводники--молекулярно-лучевая эпитаксия--наноразмерные переходные слои--плотность поверхностных состояний--проводимость структур--электрофизические свойства мдп-структур
Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	6693
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)