Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=варизонные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Якушев М. В.
Заглавие : Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45 (Шифр izph/2010/53/2)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
УДК : 621.3 + 537.311.33
ББК : 31.2 + 22.379
Предметные рубрики: Электротехника в целом
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--вольт-фарадные характеристики--диэлектрики--пассивация поверхности полупроводника--структура металл - диэлектрик - полупроводник--теллурид кадмия--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г.
Заглавие : Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9 (Шифр izph/2011/54/3)
Примечания : Библиогр.: c. 9 (14 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные области--варизонные слои--диэлектрики--мдп-структуры--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--неоднородность структур--полупроводники--резкие неоднородности структур--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
Серия: Наноматериалы и наноструктуры в электронике
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С.39-47. - ISSN 2225-0999 (Шифр ninm/2016/7/4). - ISSN 2225-0999
Примечания : Библиогр.: c. 47 (19 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--варизонные слои--диэлектрики-полупроводники--молекулярно-лучевая эпитаксия--наноразмерные переходные слои--плотность поверхностных состояний--проводимость структур--электрофизические свойства мдп-структур
Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Волков В. С., Григорьев Д. В., Ижнин И. И., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Посяцк М., Средин В. Г., Талипов Н. Х.
Заглавие : Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56 (Шифр izph/2008/51/9)
Примечания : Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК : 621.37/.39 + 621.382
ББК : 32 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--ионно-лучевое травление--полупроводники--фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С.3-18. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2009/52/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 18 (28 назв. )
УДК : 621.315.55/.58
ББК : 31.232
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--дифференциальное сопротивление--диэлектрики--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--метод проводимости--млэ--полупроводники--пространственный заряд в мдп-структурах--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю., Войцеховский А. В.
Заглавие : Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 7. - С.53-58. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 57-58 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--кадмий - ртуть - теллур--скорость поверхностной рекомбинации--фотогенерированные носители заряда
Аннотация: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий - ртуть - теллур р-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным изменением ширины запрещенной зоны и потенциальной ступеньки. Показано, что для снижения эффективной скорости поверхностной рекомбинации необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны увеличивалась на начальном участке более медленно, чем по линейному закону.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	1221
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)