Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=варизонные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 9
2.

Войцеховский А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии/А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика, 2009. т.Т. 52,N N 10.-С.3-18
3.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 2
4.

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2011. т.Т. 54,N N 3
5.

Костюченко В. Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации/В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика, 2011. т.Т. 54,N № 7.-С.53-58
6.

Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев/А. В. Войцеховский [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, 2016. т.Т. 7,N № 4.-С.39-47
 
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 6395
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)