Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=адмиттанская спектроскопия<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зубков В. И., Яковлев И. Н., Кучерова О. В., Орлова Т. А.
Заглавие : Адмиттанская спектроскопия как метод исследования релаксационных процессов в квантово-размерных структурах
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1491-1497 (Шифр ranf/2011/75/10)
Примечания : Библиогр.: c. 1497 (11 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Аннотация: На примере комплексных исследований полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN показаны широкие возможности методов спектроскопии адмиттанса как современного и эффективного метода исследования релаксационных процессов в квантово-размерных гетероструктурах. По характеру релаксации носителей заряда, выявленному из температурных спектров проводимости, определена природа эмитирующих центров в наногетероструктурах на основе InGaN/GaN.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Петровская А. Н., Зубков В. И.
Заглавие : Исследование методами спектроскопии адмиттанса релаксации заряда в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1501-1507 (Шифр ranf/2011/75/10)
Примечания : Библиогр.: c. 1507 (12 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Аннотация: На основе анализа и математической обработки вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц и температур - от 320 до 10 К, на специально изготовленных для адмиттансных измерений образцах гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонкими смачивающими слоями InAs/GaAs, оценена величина заряда как функция от температуры. Обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ по сравнению с истинной величиной заряда в квантовых ямах.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	29962
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)