Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Ферми уровень<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-24

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г.
Заглавие : Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22 (Шифр izph/2007/50/5)
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 537 + 537.311.322
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика-- Электричество и магнетизм
Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Игошев П. А., Катанин А. А., Ирхин В. Ю.
Заглавие : Магнитные флуктуации и формирование ферромагнетизма в двумерных системах с сингулярностями Ван Хова
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып: вып. 5. - С. С. 1187-1202 (Шифр zhtf/2007/132/5)
Примечания : Библиогр.: с. 1201-1202
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Анализируется критерий ферромагнетизма двумерных систем с уровнем Ферми вблизи сингулярностей Ван Хова.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Королев А. В., Коуров Н. И., Пушин В. Г., Князев Ю. В., Буйнова Л. Н.
Заглавие : Влияние атомного разупорядочения и примесей железа на структуру и свойства сплава Cu[3]Pd
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. С. 648-651 (Шифр ranf/2007/71/5)
Примечания : Библиогр.: c. 651 (4 назв. )
УДК : 669.3`234:548.313.3 + 537.31 + 537.622
ББК : 34.1 + 22.332 + 22.334
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Физика
Электрический ток
Магнетизм
Аннотация: Показано исчезновение периодической антифазной доменной структуры при разупорядочении и при легировании железом сплава Cu[3]Pd.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузнецов М. В., Шалаева Е. В., Прекул А. Ф., Щеголихина Н. И.
Заглавие : Исследование квазикристаллического Al[62. 5]Cu[25]Fe[12. 5] и кристаллического бета-Al[50]Cu[33]Fe[17] сплавов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. С. 652-655 (Шифр ranf/2007/71/5)
Примечания : Библиогр.: c. 655 (11 назв. )
УДК : 669-1:544.171:539.25
ББК : 34.1
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследованы электронные спектры валентной зоны и остовных уровней поверхности полизеренного сплава с икосаэдрической структурой и бета (CsCl) -твердого раствора Al[50]Cu[33]Fe[17].
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Ведерникова Т. В.
Заглавие : Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+}
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. С. 12-15 (Шифр izph/2007/50/8)
Примечания : Библиогр.: с. 15 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диарсенид кадмия-кремния--протонное облучение--радиационные дефекты--термическая стабильность--уровень ферми--ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения нейтральной точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кравец В. Г., Поперенко Л. В.
Заглавие : Особенности магнитоотражения аморфных лент на основе Co в ИК области
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 6. - С. 980-986 (Шифр opsp/2008/104/6)
УДК : 535.39
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аморфные ленты--аморфные металлические сплавы--кобальт--магниторефрактивный эффект--спектры отражения света--магнитоимпеданс--соотношение хагена-рубенса--хагена-рубенса соотношение--электронные состояния--уровень ферми--ферми уровень
Аннотация: Исследованы спектры отражения света и магниторефрактивный эффект в аморфных лентах на основе кобальта в ИК области спектра (ламбда = 2. 5-25 мкм). Для этих аморфных сплавов характерным является магнитоимпедансный эффект, который усиливается путем их термического и лазерного отжига. Обнаружено, что величины магнитоимпедансного и магниторефрактивного эффектов коррелируют между собой. Для магниторефрактивного эффекта обнаружена особенность в области длин волн ламбда приближенно равно 15-20 мкм, также ему присуще изменение знака в диапазоне длин волн 20-25 мкм. Показано, что оптические свойства аморфных сплавов в ИК области спектра в первом приближении могут быть объяснены на основании модифицированного соотношения Хагена-Рубенса. Обнаружено, что для аморфных металлических пленок изменение коэффициента отражения в ИК области при приложении магнитного поля определяется изменением как их магнитной проницаемости, так и проводимости, которая обусловлена степенью поляризации локализованных электронных состояний на уровне Ферми.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Власов Ю. Н., Стародубцев А. А., Bhatmager Р. К., Mathur Р. С.
Заглавие : Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия
Серия: Оптика и спектроскопия
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76 (Шифр izph/2009/52/4)
Примечания : Библиогр.: c. 76 (15 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--арсенид галлия--диод шоттки--метод вольт-амперных характеристик--метод вольт-фарадных характеристик--поверхностно-электронные состояния--приповерхностная область арсенида галлия--селен--уровень ферми--ферми уровень--шоттки диод
Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Андреева Е. А., Андреев А. И., Еремин М. В.
Заглавие : Температурная зависимость спиновой восприимчивости слоистых купратов в псевдощелевой фазе. Сопоставление с данными по сдвигу Найта на ядрах меди в YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x]
Разночтения заглавия :: Сопоставление с данными по сдвигу Найта на ядрах меди в YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1422-1425 (Шифр ranf/2010/74/10)
Примечания : Библиогр.: с. 1425 (11 назв. )
УДК : 538.945
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Анализируются возможности описания температурных зависимостей сдвигов Найта на ядрах меди в соединениях YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x] на базе данных фотоэлектронной эмиссии о параметрах зоны проводимости.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мамсурова Л. Г., Трусевич Н. Г., Пигальский К. С., Бутко Н. Б., Вишнев А. А.
Заглавие : Подавление дырочного допирования в мелкокристаллических ВТСП YBA[2]Cu[3]O[y] вследствие структурного разупорядочения
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1198-1201 (Шифр ranf/2011/75/8)
Примечания : Библиогр.: c. 1201 (13 назв. )
УДК : 537.621 + 538.945
ББК : 22.334 + 22.3
Предметные рубрики: Физика
Магнетизм
Общие вопросы физики
Аннотация: Получены экспериментальные свидетельства того, что структурное разупорядочение, свойственное мелкокристаллическим ВТСП YBA[2]Cu[3]O[y] (со средними размерами кристаллитов D 2 мкм), приводит к уменьшению уровня дырочного допирования и реализации особенностей, присущих псевдощелевому состоянию (наличию антиферромагнитных корреляций и пониженной плотности состояний на уровне Ферми) даже в образцах с оптимальным содержанием кислорода y ~ 6. 92.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Келлерман Д. Г., Журавлев Н. А., Семенова А. С., Шеин И. Р., Кузнецов М. В.
Заглавие : ЯМР {23}Na в двойном литий-натриевом кобальтите
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1219-1221 (Шифр ranf/2011/75/8)
Примечания : Библиогр.: c. 1221 (7 назв. )
УДК : 546.4`711-31:541.67
ББК : 24.1
Предметные рубрики: Химия
Общая и неорганическая химия в целом
Аннотация: Методом ЯМР исследован двойной литий-натриевый кобальтит Li[0. 48]Na[0. 35]CoO[2]. Проведена серия квантово-химических расчетов кобальтита: установлены оптимальные позиции атомов Li и Na, построены карты плотностей электронных состояний около уровня Ферми, вычислены градиенты электрического поля на ядрах {23}Na. Результаты расчетов сопоставлены с данными экспериментов ЯМР и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Сулаймонов А. А.
Заглавие : Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78 (Шифр izph/2011/54/5)
Примечания : Библиогр.: c. 78 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): быстрые нейтроны--микронеоднородность--подвижность носителей заряда--потенциальный барьер--радиационные дефекты--скорость удаления носителей--удельное сопротивление--уровень ферми--ферми уровень--флюенс быстрых нейтронов--холла эффект--эффект холла--ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-SiВ, P) и контрольном р-SiВ методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-SiВ, P быстрее, чем в р-SiВ. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бенеманская Г. В., Лапушкин М. Н., Тимошнев С. Н., Давыдов В. Ю., Жмерик В. Н.
Заглавие : Фотоэмиссионные исследования ультратонких интерфейсов Cs, Ba/InN
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С.355-357. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/3). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 357 (9 назв. )
УДК : 538.971
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): валентные зоны--металлизация границы раздела--остовные уровни--ультратонкие интерфейсы--ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия--уровень ферми--ферми уровень--фотоэмиссионные исследования--эпитаксильные слои
Аннотация: Впервые проведены исследования границ раздела Cs/InN и Ba/InN в режиме субмонослойных покрытий методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. Изучены спектры нормальной фотоэмиссии из валентной зоны и спектры остовных уровней In 4d, Ba 5p, Ba 4d, Cs 5p при возбуждении в диапазоне энергий 60-800 эВ. Обнаружено, что с увеличением покрытий происходит металлизация границы раздела и наблюдается сужение спектра валентной зоны.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шаров М. К.
Заглавие : Термо-ЭДС и удельная электропроводность твердых растворов Pb(1 – x)CdxTe
Место публикации : Перспективные материалы. - 2011. - № 2. - С.17-20: 4 рис. - ISSN 1028-978Х (Шифр ngnn/2011/2). - ISSN 1028-978Х
Примечания : Библиогр.: с. 20 (15 назв. )
УДК : 537.3 + 539.2
ББК : 22.332 + 22.37
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теллурид свинца--твердые растворы--легирование кадмием--термо-эдс--электродвижущая сила--удельная электропроводность--уровень ферми--ферми уровень--концентрация свободных носителей заряда
Аннотация: Исследованы зависимости удельной электропроводности и коэффициента термо-ЭДС от содержания кадмия в монокристаллах твердых растворов Pb[1 – x]Cd[x]Te при комнатной температуре.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Миннебаев К. Ф., Толпин К. А., Хайдаров А. А., Юрасова В. Е.
Заглавие : Влияние магнитного фазового перехода на вторичную ионную эмиссию неупорядоченных соединений Ni-Pd разного состава
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 5. - С.613-619. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/5). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 618-619 (62 назв. )
УДК : 537.534
ББК : 22.338
Предметные рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вторичная ионная эмиссия--кюри точка--магнитные фазовые переходы--неупорядоченные соединения ni–pd--точка кюри--уровень ферми--ферми уровень--ферромагнитные соединения--электронные состояния
Аннотация: Экспериментально исследовано изменение вторичной ионной эмиссии (ВИЭ) из поликристаллов ферромагнитных неупорядоченных соединений Ni-Pd, облучаемых ионами аргона с энергией 10 кэВ. Обнаружено значительное уменьшение эмиссии ионов Ni+ и Pd+ при переходе из ферро- в парамагнитное состояние следующих соединений Ni-Pd с разной точкой Кюри Т[с]: NiPd (Т[с] = 190 град. С), Ni[5]Pd (Т[с] = 315 град. С) и NiPd[5] (Т[с] = 110 град. С). Наблюдаемое уменьшение ВИЭ объяснено изменением поверхностной энергии связи и плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Веревкин С. С., Колин Н. Г., Корулин А. В.
Заглавие : Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С.47-51. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 51 (9 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферми уровень--заглубление уровня ферми--нитрид галлия--облучение электронами--радиационные дефекты--радиация--уровень ферми--электронное облучение--электронные свойства--эпитаксиальные пленки n-gan
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Костенко М. Г., Лукоянов А. В., Жуков В. П., Валеева А. А., Ремпель А. А.
Заглавие : Роль структурных вакансий в стабилизации базисной структуры B1 в нестехиометрическом монооксиде титана TiO[y]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 3. - С.343-346. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/3). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 346 (16 назв. )
УДК : [538.911+538.915]:549.514.6
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карты электронной плотности--монооксид титана--структурные вакансии--уровень ферми--ферми уровень--электронная структура--энтальпия образования
Аннотация: Исследованы электронные структуры и энтальпии образования трех фаз монооксида титана с базисной структурой B1: кубической фазы без вакансий TiO, упорядоченной моноклинной фазы Ti[5]O[5] и кубической фазы с неупорядоченным расположением вакансий TiO[y]. Установлено, что наиболее стабильна фаза Ti[5]O[5], а наименее стабильна TiO. Роль титановых вакансий в фазах Ti[5]O[5] и TiO[y] заключается в снижении уровня Ферми, роль кислородных вакансий - в укреплении ковалентных связей между атомами титана.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кучинский Э. З., Некрасов И. А., Павлов Н. С.
Заглавие : Псевдощелевое поведение в модели Эмери для электронно-допированного сверхпроводника Nd[2-x]Ce[x]CuO[4]: многозонный LDA+DMFT+сигма[k]-подход
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 2. - С.379-390. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2013/144/2). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 389-390
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): модель эмери--эмери модель--уровень ферми--ферми уровень--поверхности ферми--ферми поверхности--сверхпроводники--электронно-допированные сверхпроводники--теория динамического среднего поля--теория функционала плотности
Аннотация: Предложено обобщение LDA+DMFT+сигма[k]-подхода для модели Эмери. Рассчитаны плотности состояний и спектральные функции в широком энергетическом интервале вокруг уровня Ферми. Получены поверхности Ферми электронно-допированного высокотемпературного сверхпроводника Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] в псевдощелевой фазе.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Донцова Н. А., Калинин Ю. Е., Каширин М. А., Ситников А. В.
Заглавие : Электрические и магниторезистивные свойства наногранулированных пленок CoFeB-CaF[2]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 10. - С.1519-1522. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/10). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1522 (4 назв. )
УДК : 537.9
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферми уровень--магнитосопротивление--наногранулированные пленки--уровень ферми--электрические свойства--электроперенос--эффективная плотность
Аннотация: Исследованы электрические свойства и магнитосопротивление композитов (Co[41]Fe[39]B[20]) [x] (CaF[2]) [100-x]. Установлены основные механизмы электропереноса заряда при низких температурах. Сделана оценка эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и среднего числа локализованных состояний между соседними гранулами при различной концентрации металлической фазы.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Климовских И. И., Русинова М. В., Рыбкин А. Г., Рыбкина А. А., Жижин Е. В., Шикин А. М.
Заглавие : Спиновая поляризация квантовых и интерфейсных состояний в ультратонких пленках Bi на поверхности W(110) с промежуточным монослоем Ag
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С.67-71. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2014/78/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 71 (12 назв. )
УДК : 538.915
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферми уровень--спиновая поляризация--ультратонкие пленки--уровень ферми--фотоэлектронная спектроскопия
Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым и спиновым разрешением исследована электронная и спиновая структура квантовых и интерфейсных состояний, формируемых в системе, представляющей собой бислой Bi на 1 MC Ag/W (110). Показано, что данные состояния формируются в локальной запрещенной зоне W (110) и характеризуются спиновой поляризацией и спин-орбитальным расщеплением, характерным для поверхностных резонансов с высокой плотностью спин-поляризованных состояний вблизи уровня Ферми. Работа выполнена при поддержке Немецко-Российского междисциплинарного научного центра G-RISC и гранта поддержки научных исследований СПбГУ.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Батырев А. С, Бисенгалиев Р. А., Новиков Б. В., Сумьянова Е. В.
Заглавие : Стабилизация спайка в спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами
Серия: Спектроскопия конденсированного состояния
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 114, № 3. - С.428-431: граф. - ISSN 0030-4034 (Шифр opsp/2013/114/3). - ISSN 0030-4034
Примечания : Библиогр.: с. 431 (14 назв.)
УДК : 535.33
ББК : 22.344
Предметные рубрики: Физика
Спектроскопия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферми уровень--кристаллы--низкоэнергетические электроны--облучение кристаллов--отражение света--полупроводники--продольные экситоны--стабилизация спайков--уровень ферми--экситонное отражение
Аннотация: В низкотемпературных спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами, обнаружен эффект остановки вращения на частоте продольного экситона. Предполагается связь этого эффекта с закреплением уровня Ферми на поверхности полупроводника.
Найти похожие

1-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	28573
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)