Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Чернышов, В. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чернышов В. Н.
Заглавие : Анализ условий в гетероструктурах
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. С. 39-44 (Шифр izph/2008/51/1)
Примечания : Библиогр.: c. 44 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Катаев С. Г., Чернышов В. Н., Загоскин В. В.
Заглавие : Об одном методе обнаружения подповерхностных объектов из данных сверхширокополостного зондирования
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 94-99 (Шифр izph/2008/51/11)
Примечания : Библиогр.: c. 99 (5 назв. )
УДК : 550.3
ББК : 26.2
Предметные рубрики: Геофизика
Общие вопросы геофизики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод выявления структур--подповерхностное зондирование--сверхширокополосный сигнал--электромагнитный импульс
Аннотация: В данной работе излагается подход, позволяющий обнаруживать и определять форму и размеры подповерхностных малоконтрастных по диэлектрическим свойствам объектов, а также людей и предметов, находящихся за стенами зданий по отраженным сверхширокополосным электромагнитным сигналам.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чернышов В. Н., Катаев С. Г., Загоскин В. В.
Заглавие : Исследование влияния профиля влажности на электромагнитный сигнал, отраженный от подповерхностного объекта
Серия: Физика магнитных явлений
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 6. - С.61-67. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2008/51/6). - ISSN 0021-3411
УДК : 550.837.2 + 621.396.6
ББК : 32.84 + 26.324
Предметные рубрики: Общая радиотехника
Радиоэлектроника
Геология
Геологическая разведка
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): влажность почв (радиоэлектроника)--интерпретация отраженного сигнала--метод естественных полей--отражение сигнала--электромагнитный сигнал--электрометрические исследования
Аннотация: В данной работе проведено теоретическое исследование поведения отраженного от почвы сигнала в зависимости от профиля влажности. Показано, что наличие в грунте влаги, неравномерно распределенной по объему, сильно затрудняет правильную интерпретацию отраженного сигнала. Возникает необходимость знать функцию распределения влажности по объему, а не только среднее значение влажности грунта.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Караваев Г. Ф., Чернышов В. Н., Разжувалов А. Н.
Заглавие : Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С.34-40: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 40 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вюртцитные кристаллы--гетероструктуры--дырочные состояния--квантовая яма--метод огибающих функций--огибающие функции--уровень энергии--условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Караваев Г. Ф., Чернышов В. Н.
Заглавие : Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С.92-99: рис., табл. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 99 (10 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--квантовая яма--моделирование дырочных состояний--моделирование электронных состояний--псевдопотенциалы--уровень энергии--условная сшивания
Аннотация: Проведены псевдопотенциальные расчеты электронных и дырочных состояний для различных наноструктур на основе GaN/InGaN (0001) в приближении разрывного на гетерограницах потенциала. На основе данных расчетов предложена модель для упрощенного описания этих состояний, которая включает в себя 14-зонную систему уравнений kр-теории и приближенные условия сшивания на гетерограницах. Сравнение результатов, полученных с помощью псевдопотенциальных расчетов и на основе упрощенной модели, свидетельствует о хорошей точности предложенной модели.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 18.09.2024
Число запросов	15606
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)