Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кортов, В. С.$<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Заглавие журнала :Университетское управление: практика и анализ -2004г.,N 4
Интересные статьи :
Феклистов И.Ф. Статистические проблемы качества ресурсного потенциала вузов России/ И.Ф. Феклистов, П.М. Золин (стр.7-18)
Рогожкин С.А. Материально-техническое обеспечение учебного процесса - необходимое условие качества образования/ С.А. Рогожкин (стр.19-26) Кл.слова: вузы, лицензирование, аккредитация, аттестация,машины, оборудование, инструментальная база, общий рейтинг, вузы МПС
Баташов М.В. Определение путей снабжения издержек в вузе/ М.В. Баташов (стр.27-32) Кл.слова: деятельность вуза, образовательный аспект, бюджетирование,Россия, демографическая пирамида, структура населения, изменения,Москва, вузы государственные, штат, число студентов
Краковский Ю.М. Выбор цены образовательной услуги на основе имитационно-аналитической процедуры/ Ю.М. Краковский, В.К. Карнаухова (стр.33-37) Кл.слова: образовательные услуги, абитуриенты,безубыточность, стоимостный анализ,имитационно-аналитическая процедура
Шульгин Д.Б. Управление конфликтами интересов при коммерциализации университетских технологий/ Д.Б. Шульгин, В.С. Кортов (стр.38-43) Кл.слова: конфликт интересов, причины, участники,коммерциализация технологий, участники процесса,изобретатель-университет-заказчик НИОКР, работник-работодатель, отношения
Волкова Т.И. Институционные основы создания конкурентоспособных продуктов/ Т.И. Волкова (стр.44-47) Кл.слова: творческая личность, модель, характеристики,отбор, система, управление, принципы,субъекты, функциональные связи
Кальб Г. Австрийская университетская система/ Г. Кальб, Г. Пильц, Л.Н. Шеврин (стр.48-52) Кл.слова: Австрия, университеты, занятия, программы обучения, студенты, исследования
Гибсон М. Бизнес и высшее образование: опыт взаимодействия в Великобритании/ М. Гибсон, А.Ю. Афонин (стр.53-66) Кл.слова: великобритания, высшее образование, передача знаний ,человеческий фактор, миссия, цели, ,вуз, руководство, управление
Крюков В.В. Развитие информационной инфраструктуры вуза для решения задач управления/ В.В. Крюков, К.И. Шахгельдин (стр.67-77) Кл.слова: вуз, информационная, корпоративная, среда , особенности,региональная сеть, структура,уровни КИС, типовые решения
Корнеева Л.И. Современные интерактивные методы обучения в системе повышения квалификации руководящих кадров в Германии: зарубежный опыт/ Л.И. Корнеева (стр.78-83) Кл.слова: Германия, руководящие кадры, повышение квалификации,методы обучения активные,тренинги, программированое обучение, компьютерное обучение, учебные дискуссии, case-study
Интересные статьи :
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кортов В. С., Звонарев С. В.
Заглавие : Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. С. 52-58 (Шифр izph/2008/51/3)
Примечания : Библиогр.: c. 58 (17 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высокоэнергетические электроны--кристаллические диэлектрики--метод монте-карло--моделирование транспорта электронов--монте-карло метод--электрический пробой электронов--эмиссия электронов
Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кортов В. С., Звонарев С. В.
Заглавие : Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках
Место публикации : Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85: 3 рис. (Шифр matm/2008/20/6)
Примечания : Библиогр.: с. 85 (17 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод монте-карло--монте-карло метод--электроны--кристаллические диэлектрики--диэлектрики
Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зацепин А. Ф., Бунтов Е. А., Кортов В. С., Фиттинг Г. Д., Поносов Ю. С.
Заглавие : Фотоэлектронная эмиссия имплантированных пленок SiO[2]: Se{+}
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С.221-225. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/2). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 225 (9 назв. )
УДК : 538.971
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Представлены результаты исследования пленок диоксида кремния, имплантированных ионами селена (330 кэВ; 5х10{16} см{-2}). Методом фотостимулированной электронной эмиссии (OSEE) изучены особенности разупорядочения структуры пленки. Спектральные зависимости OSEE описаны в рамках формализма эмиссионного правила Урбаха. Установлено, что возникающие при имплантации дискретно-континуальные нарушения вносят заметные искажения в спектр электронных и колебательных состояний матрицы SiO[2]. Результаты эксперимента и численного моделирования указывают на реализацию механизма активационного туннелирования электронов с фотовозбужденных поверхностных состояний SiO[2] в вакуум.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бочко, Владимир Степанович (доктор экономических наук, профессор), Сидорова, Елена Николаевна
Заглавие : Теоретико-методологические аспекты изучения региональной экономики
Серия: Хроника
Место публикации : Пространственная экономика. - 2011. - N 3. - С. 172-179 (Шифр proe/2011/3)
УДК : 332.1
ББК : 65.04
Предметные рубрики: Экономика
Экономическая география и региональная экономика
Аннотация: Освещается работа I Всероссийского симпозиума по региональной экономике, который проходил в Екатеринбурге 21-23 июня 2011 г. и был приурочен к двойному юбилею Института экономики Уральского отделения РАН (70 лет становления экономической академической науки на Урале и 40-летие со дня рождения).
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кортов В. С., Звонарев С. В., Спиридонова Т. В.
Заглавие : Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 25-31 (Шифр izph/2011/54/3)
Примечания : Библиогр.: c. 31 (9 назв. )
УДК : 537
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--заряжение диэлектриков--заряжение поверхностей--компьютерное моделирование--электронная бомбардировка
Аннотация: Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженности электрического поля от глубины слоя материала при варьировании параметров электронного пучка, длительности облучения и потенциала на сетке вблизи поверхности образца.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Петровых К. А., Кортов В. С., Гапоненко Н. В., Ремпель А. А., Руденко М. В., Хорошко Л. С., Вознесенский С. С., Сергеев А. А., Пустоваров В. А.
Заглавие : Фотолюминесценция наноразмерного ксерогеля Zn[2]SiO[4] : Mn{2+} в порах анодного оксида алюминия
Серия: Примесные центры
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С.1989-1994: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/10). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (21 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алюминий--анодный оксид алюминия--кристаллография в целом--ксерогели--наноразмерные ксерогели--оксид алюминия--фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства композита, полученного внедрением наноразмерного люминофора Zn[2]SiO[4] : Mn{2+} в пористый анодный оксид алюминия.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Никифоров С. В., Кортов В. С.
Заглавие : Роль дырочных ловушек в термолюминесценции дозиметрического пика в анион-дефектных монокристаллах alpha-Al[2]O[3]
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 9. - С.1695-1702: 7 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/9). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (36 назв.)
УДК : 5397.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анион-дефектные монокристаллы--дозиметрические пики--дырочные ловушки--монокристаллы--термолюминесценция
Аннотация: Исследованы термолюминесцентные свойства анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия с различной полушириной основного (дозиметрического) пика при 400-500 K. Получены новые экспериментальные подтверждения дырочной природы ловушек, ответственных за высокотемпературную часть данного пика.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 54570
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)