Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Карпович, И. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотомагнитные эффекты--фмэ--гетеронаноструктуры--гнс--эпитаксиальные слои--квантово-размерные слои--гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е., Горбачева Е. А.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs и дельта-слоем Mn
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 23-26 (Шифр ranf/2011/75/1)
Примечания : Библиогр.: c. 26 (7 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Аннотация: Исследовано влияние встраивания дельта-слоя Mn в гетероструктуры с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs на спектры фотомагнитного эффекта в этих структурах.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Истомин Л. А.
Заглавие : Динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn гетероструктурах с квантовой ямой и квантовыми точками In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 27-30 (Шифр ranf/2011/75/1)
Примечания : Библиогр.: c. 30 (4 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Аннотация: Исследован динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn эпитаксильных слоях и квантово-размерных гетеронаноструктурах p-типа с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Горшков А. П., Волкова Н. С., Карпович И. А., Здоровейщев А. В., Полова И. А.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С.61-63. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2013/77/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: с. 63 (7 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений--гетеронаноструктуры inas/gaas--квантовые точки--температурная зависимость--фотоэлектрические спектры
Аннотация: Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	24108
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)