Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Брудный, В. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Ведерникова Т. В.
Заглавие : Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+}
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. С. 12-15 (Шифр izph/2007/50/8)
Примечания : Библиогр.: с. 15 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диарсенид кадмия-кремния--протонное облучение--радиационные дефекты--термическая стабильность--уровень ферми--ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения нейтральной точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г.
Заглавие : Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22 (Шифр izph/2007/50/5)
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 537 + 537.311.322
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика-- Электричество и магнетизм
Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Кособуцкий А. В., Колин Н. Г.
Заглавие : Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31 (Шифр izph/2008/51/12)
Примечания : Библиогр.: c. 31 (37 назв. )
УДК : 537.3 + 537.311.33
ББК : 22.332 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитриды--радиационные дефекты--химпотенциал--энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Гриняев С. Н.
Заглавие : Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 7. - С. 43-45 (Шифр izph/2010/53/7)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (3 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): германий--квантовые точки ge--кремний--метод псевдопотенциала--нанокластеры германия--спектры оптического поглощения si
Аннотация: Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровнем германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Гриняев С. Н.
Заглавие : Генезис дырочных состояний малых германиевых кластеров в кремнии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 5. - С. 68-73 (Шифр izph/2010/53/5)
Примечания : Библиогр.: c. 73 (8 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ge--si--германиевые кластеры--германий--дырочные состояния--кластерные состояния--кластеры--кремний--нанокластеры
Аннотация: Приводятся результаты расчетов электронных состояний германиевых кластеров в матрице кремния. Исследовано влияние межподзонного взаимодействия и плавного интерфейсного потенциала на положение дырочных уровней размерного квантования ультрамалых кластеров Ge.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Веревкин С. С., Колин Н. Г., Корулин А. В.
Заглавие : Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С.47-51. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 51 (9 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферми уровень--заглубление уровня ферми--нитрид галлия--облучение электронами--радиационные дефекты--радиация--уровень ферми--электронное облучение--электронные свойства--эпитаксиальные пленки n-gan
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Кособуцкий А. В.
Заглавие : Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастотных расчетов в рамках GW-приближения
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 6. - С.1183-1189: табл. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2012/141/6). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 1188-1189
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--gw-приближение--электронная структура--уровень локальной электронейтральности--политипы sic--sic--квазичастотные расчеты
Аннотация: С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и nH-SiC (n=2-8).
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 18.07.2024
Число запросов 47213
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)