Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Брудный, В. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Брудный В. Н. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+}/В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика, 2007. т.Т. 50,N N 8.-С.С. 12-15
2.

Брудный В.Н. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с <предельным> положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V/В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика, 2007. т.Т. 50,N N 5.-С.17-22
3.

Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN)/В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 12
4.

Брудный В. Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge/В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 7
5.

Брудный В. Н. Генезис дырочных состояний малых германиевых кластеров в кремнии/В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 5
6.

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN/В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 1.-С.47-51
7.

Брудный В. Н. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастотных расчетов в рамках GW-приближения/В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012. т.Т. 141,N вып. 6.-С.1183-1189
 
Статистика
за 17.08.2024
Число запросов 77459
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)