Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Абрамова В. В., Синицкий А. С., Третьяков Ю. Д. Заглавие : Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 5. - С. С. 339-343 УДК : 538.9 ББК : 22.3 Предметные рубрики: Физика Общие вопросы физики Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонные кристаллы--запрещенная зона фотонных кристаллов--инвертированный опал Аннотация: Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A[1-x]B[x] с контролируемым значением параметра x на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B - больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава (100-x) мол. % SiO[2] - x мол. % ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра x. Доп.точки доступа: Синицкий, А. С.; Третьяков, Ю. Д.