Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Джахангирли З. А. Заглавие : Самосогласованный расчет глубоких уровней вакансий Ge и S в GeS методом функций Грина Серия: Полупроводники. Диэлектрики Место публикации : Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С.436-438. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2010/52/3). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр.: с. 438 (10 назв. ) УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): функции грина--грина функции--линейные комбинации атомных орбиталей--дефектные уровни--орторомбические кристаллы--электронная плотность Аннотация: На основе теории функций Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и изменение электронной плотности в кристалле с дефектом.