Ткач, Н. В. Оптимизация конфигурации симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного детектора [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети> // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 387-395. : ил. - Библиогр.: с. 395 (22 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые каскадные детекторы -- ККД -- резонансно-туннельная структура -- РТС -- барьеры -- ямы (физика) -- электроны -- динамическая проводимость -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- активные элементы -- конфигурации -- режим работы детектора -- оптимизация структуры -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение Аннотация: В модели прямоугольных потенциалов и различных эффективных масс электрона в ямах и барьерах открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с одинаковыми внешними барьерами развита теория и выполнен расчет динамической проводимости, возникающей из-за взаимодействия электромагнитного поля с проходящими сквозь структуру электронами. На примере трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с ямами In[0. 53]Ga[0. 47]As и барьерами In[0. 52]Al[0. 48]As показано, что независимо от геометрических размеров потенциальных ям и барьеров существует три геометрические конфигурации (положения внутреннего барьера относительно внешних), при которых наносистема как активный элемент обеспечивает оптимальный режим работы квантового каскадного детектора. Доп.точки доступа: Сети, Ю. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |