Музафарова, С. А. Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1111-1116. - Библиогр.: с. 1116 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- гетеросистемы -- диффузия атомов -- перенос тока -- твердые растворы Аннотация: Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-амперных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10{-8} - 10{-5} A*cm{-2} вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10{-4} - 10{-2} A*cm{-2} ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe[1-x]S[x], а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Показано, что гетероструктура CdTe[1-x]S[x] работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe[1-x]S[x], n-слоем - CdS. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Жанабергенов, Ж. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |