Астрова, Е. В. Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии [Текст] / Е. В. Астрова, Г. В. Федулова, Е. В. Гущина> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1666-1672. : ил. - Библиогр.: с. 1672 (18 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование полосок -- двумерные кристаллы -- фотонные кристаллы -- фотоэлектрохимическое травление -- травление щелей -- макропоры в кремнии -- кремний -- глубокие макропоры -- глубокие щели -- n-Si -- сквозные щели -- квадратные решетки -- режимы травления -- шероховатости стенок -- боковые стенки Аннотация: Исследован процесс совместного электрохимического травления глубоких макропор и щелей в n-Si ориентации (100). После удаления подложки области образца, ограниченные со всех сторон замкнутым контуром сквозных щелей, извлекали из образца, оставляя узкие полоски двумерного фотонного кристалла. На примере фотонного кристалла с квадратной решеткой макропор анализируется влияние расстояния между порами и щелью, режимов травления и последующего окисления на шероховатость боковых стенок таких структур, а также на изменение размера и формы пор вблизи щели. Найдены условия, обеспечивающие наименьшее искажение решетки фотонного кристалла и получение наиболее гладких боковых стенок структуры (среднеквадратичная высота неровности ~60 нм). Доп.точки доступа: Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |