Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-VO[2] в спектральной области 1. 3-1. 6 мкм [Текст] / А. Б. Певцов [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1585-1590. : ил. - Библиогр.: с. 1590 (26 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенные зоны -- фотонные запрещенные зоны -- ФЗЗ -- фотонные кристаллы -- ФК -- трехмерные фотонные кристаллы -- композиты -- опал -- спектральные области -- длина волны Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1. 3-1. 6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO[2]. Установлен диапазон степеней заполнения (0. 25-0. 6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO[2] с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO[2] максимальный сдвиг (~170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн ~1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Певцов, А. Б.; Грудинкин, С. А.; Поддубный, А. Н.; Каплан, С. Ф.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |