Кукушкин, В. А. Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1483-1488. : ил. - Библиогр.: с. 1488 (26 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- инфракрасное излучение -- терагерцовое излучение -- лазеры -- сверхрешетки -- квантовые ямы -- электромагнитное поле -- волноводы -- комнатная температура -- фундаментальные исследования -- безынверсные усилители Аннотация: Предложена схема усилителя или лазера дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наноструктуре - сверхрешетке из двойных квантовых ям определенной архитектуры, помещенной в планарный металлический волновод и накачиваемой излучением CO[2]-лазера. Данная схема основана на безынверсном механизме усиления электромагнитного поля, который позволяет перейти к работе при комнатной температуре (в импульсном режиме) и значительно (более чем в 1. 7 раза) менять частоту выходного излучения с помощью простого варьирования интенсивности накачки. Основанный на такой схеме лазер может стать удобным и легко перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения как для фундаментальных исследований, так и для различных практических приложений. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |