Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах. Доп.точки доступа: Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |