К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |