Паращук, В. В. Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера [Текст] / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров> // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 82-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (11 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- стримерные лазеры -- предельные режимы -- оптимизация режимов -- электрические поля -- оптические поля -- стримерные разряды -- широкозонные полупроводники -- спектроскопические свойства -- активные среды -- люминесцентные характеристики -- повышение эффективности лазеров -- стримерное свечение Аннотация: Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa[2]S[4]: Eu, Ca[4]Ga[2]S[7]: Eu. Доп.точки доступа: Русаков, К. И.; Джаббаров, Р. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |