Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC [Текст] / И. П. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 684-687 : ил. - Библиогр.: с. 687 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): травление -- ионное травление -- гетероструктуры -- AlGaIn/GaN -- подложки -- квантовая эффективность -- фоторезисты -- тонкие фоторезисты -- полное внутреннее отражение -- ПВО -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- карбид кремния -- светодиоды -- флип-чип конструкции -- микрорельефы Аннотация: Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%. Доп.точки доступа: Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Аракчеева, Е. М.; Павлюченко, А. С.; Закгейм, Д. А.; Кулагина, М. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |