Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников [Текст] / А. А. Скворцов [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2304-2308. - Библиогр.: с. 2308 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- магнитопластический эффект -- кремний -- элементарные полупроводники -- примесные точечные дефекты -- поверхностные дислокационные сегменты -- термический отжиг -- магнитопластичность Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si. Доп.точки доступа: Скворцова, А. А.; Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Белов, Д. И. |