Электрические и магнитные свойства мультислойных структур [ (CoFeZr) [x] (Al[2]O[3]) [1-x]/ (альфа-SiH) ][n] [Текст] / А. В. Иванов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2331-2336. - Библиогр.: с. 2336 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мультислойные структуры -- удельное электрическое сопротивление -- магнитная проницаемость -- полупроводниковые прослойки -- наномультислойные системы Аннотация: Исследованы концентрационные зависимости удельного электрического сопротивления и комплексной магнитной проницаемости мультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] и композитов (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]. Установлено, что введение полупроводниковой прослойки в композиты (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x] приводит к существенному понижению удельного электрического сопротивления мультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n]. Концентрационные зависимости действительной и мнимой частей комплексной магнитной проницаемости наномультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] существенно отличаются от таковых для нанокомпозитов (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]. Действительная часть комплексной магнитной проницаемости наномультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] изменяется по кривой с минимумом вблизи порога протекания композита, а мнимая --- плавно снижается с увеличением концентрации ферромагнитной фазы. Полученные результаты объясняются увеличением температуры бифуркации за счет электронов проводимости полупроводниковой прослойки, способствующих магнитному упорядочению ферромагнитных гранул. Доп.точки доступа: Иванов, А. В.; Калинин, Е. Ю.; Нечаев, В. Н.; Ситников, А. В. |