Вольфсон, А. А. Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H [Текст] / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 847-849 : ил. - Библиогр.: с. 848 (2 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимация -- кристаллы -- кристаллы AlN -- AlN кристаллы -- слои -- объемные слои -- подложки -- AlN -- SiC-6H Аннотация: Получение толстых слоев и объемных кристаллов AlN - одна из актуальных задач современной науки и техники. Основной метод ее решения - сублимационный, когда испаряемый при температуре около 2000oC слой AlN эптиаксиально наращивается на подложку SiC. Серьезной проблемой в этом случае является различие коэффициентов термического расширения этих материалов, которое при остывании до комнатной температуры приводит к изгибу, растрескиванию и большим механическим напряжениям в слое AlN. В данной работе рассмотрен случай самопроизвольного отделения не имеющего трещин слоя AlN от подложки SiC, что указывает на реальную возможность выстраивания такой технологии роста, при которой их разделение станет обязательным. Возможные причины самопроизвольного разделения слоя и подложки: 1) образование на интерфейсе прослойки алюминия; 2) развитие начальной стадии роста по схеме, описанной ранее, когда слой и подложка атомарно связаны только на отдельных относительно немногочисленных участках, где происходило зарождение растущего кристалла, а при остывании эти участки разрушались, и слой отделялся от подложки. Пока не ясно, какие особенности или аномалии ростового процесса привели к описываемому результату. |