Юзюк, Ю. И.
    Влияние механизма роста и термоупругих напряжений на динамику кристаллической решетки гетероэпитаксиальных пленок титаната бария-стронция [Текст] / Ю. И. Юзюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1676-1682. - Библиогр.: с. 1682 (30 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные пленки -- двумерные напряжения в пленке -- комбинационное рассеяние света -- коэффициенты теплового расширения -- мягкая мода -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- спектры комбинационного рассеяния света -- титанат бария-стронция
Аннотация: Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3] (BST-0. 3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293-520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E (TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано. что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиального роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста.


Доп.точки доступа:
Захарченко, И. Н.; Алешин, В. А.; Леонтьев, И. Н.; Рабкин, Л. М.; Мухортов, В. М.; Simon, P.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)