High-performance InGaP/GaAs pnp delta -doped heterojunction bipolar transistor [Текст] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 971-974 : ил. - Библиогр.: с. 973-974 (11назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы -- арселид галия -- валентные зоны -- разрывы -- разделительные слои -- эммитерный переход -- электроны -- коэффициент усиления -- напряжение смещения -- усилители -- микросхемы -- GaAs Аннотация: In this article, a novel InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor is first demonstrated. Though the valence band discontinuity at InGaP/GaAs heterojunction is relatively large, the addition of a delta-doped sheet between two spacer layers at the emitter-base (E-B) junction effectively eliminates the potential spike and increases the confined barrier for electrons, simultaneously. Experimentally, a high current gain of 25 and a relatively low E-B offset voltage of 60 mV are achieved. The offset voltage is much smaller than the conventional InGaP/GaAs pnp HBT. The proposed device could be used for linear amplifiers and low-power complementary integrated circuit applications. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Shao-Yen Chiu; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo |