Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 689-694
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- твердые растворы -- оптические анализаторы -- ближнее поле -- флип-чип светодиоды Аннотация: Представлены результаты исследования картин ближнего поля инфракрасных флип-чип светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, излучающих в области 2 мкм. Обсуждаются отражательные и электрические свойства контактов, а также анализируется характер распределения излучения в ближнем поле в зависимости от тока и электрических и геометрических параметров светодиодов. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Черняков, А. Е.; Шленский, А. А. |