Капельное осаждение тонких наноструктурированных покрытий теллурида свинца [Текст] / С. М. Аракелян [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 12. - С. 1604-1608 : рис. - Библиогр.: c. 1608 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- нанокластеры -- теллурид свинца -- туннельный ток -- эффекты туннелирования носителей заряда Аннотация: Для полученных кластерных структур, состоящих из наночастиц теллурида свинца, измерены вольт-амперные характеристики осажденных структур, показано изменение величины туннельного тока. Выявлены оптимальные условия для возможного проявления квантовой/скачковой проводимости из-за эффектов туннелирования носителей заряда - характерные размеры нанокластеров и расстояний между ними. Доп.точки доступа: Аракелян, С. М.; Осипов, А. В.; Скрябин, И. О.; Tran Dinh Phong; Nguyen Tran Thuath Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |