Грошев, Андрей Геннадьевич.
    Связь проводимости электронных систем с магнитным фазовым расслоением и его параметрами [Текст] = Connection conductivity of the electronшс systems with magnetic phase separation and its parameters / А. Г. Грошев, А. К. Аржников // Инженерная физика. - 2016. - № 12. - С. 21-26 : граф. - Библиогр.: с. 25-26 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
УДК
ББК 22.332
Рубрики: Физика
   Электрический ток

Кл.слова (ненормированные):
электронные системы -- модель Хаббарда -- Хаббарда модель -- фазовое расслоение -- электросопротивление -- антиферромагнитные фазы -- магнитные фазы -- матрицы -- высокопроводящие капли (физика)
Аннотация: Используя параметры магнитного фазового расслоения между антиферромагнитной (АФ) и диагональной (Q, Q) магнитными фазами, вычисленными на основедвумерной однозонной t-t` модели Хаббарда, исследуются температурные зависимости электросопротивления вызванного рассеянием электронов на термических флуктуациях спиновой плотности, которые рассчитываются как с учетом магнитного фазового расслоения так и без его учета. Рассматриваются геометрические модели фазового расслоения в виде высокопроводящих капель (Q, Q) фазы в слабопроводящей АФ матрице и чередующихся высокопроводящих слоев (Q, Q) фазы и слабопроводящих АФ слоев. Для первой модели получена зависимость геометрических параметров фазового расслоения от температуры. Анализируются особенности температурной зависимости электросопротивления в этих моделях. Обсуждается связь полученных результатов с имеющимися экспериментальными данными.Using the parameters of the magnetic phase separation between the antiferromagnetic (AF) and diagonal (Q, Q) magnetic phases, calculated on osnovedvumernoy tt` single-band Hubbard model, we study the temperature dependence of the resistivity caused by the scattering of electrons by thermal fluctuations of the spin density, which are calculated as a given magnetic phase separation and without accounting. We consider the geometric model of phase separation in the form of a highly conductive droplet (Q, Q) phase in a weakly conducting AF array and alternating layers of high conductivity (Q, Q) phase and a low conductive layers AF. For the first model, the dependence of the geometric parameters of the phase separation temperature. The features of the temperature dependence of the resistivity in these models. The relationship between the results obtained with available experimental data.


Доп.точки доступа:
Аржников, Анатолий Константинович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)