Вольфсон, А. А. Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации [Текст] / А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 418-421
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): толстые эпитаксиальные слои -- GaN -- сандвич-метод -- катодолюминесценция -- оптоэлектронные приборы -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1. 5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0. 5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности. Доп.точки доступа: Мохов, Е. Н. |